[發(fā)明專利]溫度傳感器、顯示面板和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710443333.5 | 申請日: | 2017-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN107063487B | 公開(公告)日: | 2019-09-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙利軍;劉英明;王海生;鄭智仁;王鵬鵬;吳俊緯 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G01K7/01 | 分類號: | G01K7/01;G09F9/00 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 反相器 溫度傳感器 顯示面板 輸入端連接 顯示裝置 遷移率 輸出端 源層 溫度傳感器測量 薄膜晶體管TFT 傳感器領(lǐng)域 輸出端連接 常開狀態(tài) 開閉狀態(tài) 輸入端 正整數(shù) 串聯(lián) | ||
本發(fā)明公開了一種溫度傳感器、顯示面板和顯示裝置,屬于傳感器領(lǐng)域。溫度傳感器包括n級反相器,n級反相器中的第k級反相器的輸入端與第k?1級反相器的輸出端連接,第k級反相器的輸出端與第k+1級反相器的輸入端連接,第n級反相器的輸出端與第1級反相器的輸入端連接,其中,n為大于或等于1的奇數(shù),k為大于1小于n的正整數(shù);每級反相器包括串聯(lián)的第一薄膜晶體管TFT和第二TFT,第二TFT處于常開狀態(tài),第一TFT的開閉狀態(tài)由反相器輸入的信號決定,第一TFT的有源層的遷移率大于第二TFT的有源層的遷移率。本發(fā)明提供的溫度傳感器可以由顯示面板中的TFT組成,從而使得溫度傳感器可以集成于顯示面板內(nèi),提高了溫度傳感器測量的準(zhǔn)確性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及傳感器領(lǐng)域,特別涉及一種溫度傳感器、顯示面板和顯示裝置。
背景技術(shù)
隨著顯示技術(shù)的高速發(fā)展,顯示裝置的使用越來越廣泛,顯示裝置通常包括顯示面板。在實際應(yīng)用中,過高或過低的溫度很可能會對顯示面板造成損害,影響顯示質(zhì)量。為了避免溫度過高或過低對顯示面板造成損害,通??梢栽O(shè)置溫度傳感器監(jiān)控顯示面板的溫度,從而可以在監(jiān)控到顯示面板溫度較高或較低時采取措施,以避免對顯示面板造成損害。
在相關(guān)技術(shù)中,溫度傳感器通常可以設(shè)置于顯示面板外并與顯示面板相連。然而,這樣的設(shè)置方式會導(dǎo)致溫度傳感器無法準(zhǔn)確地監(jiān)測到顯示面板內(nèi)部的溫度,導(dǎo)致溫度傳感器測量的準(zhǔn)確性較低。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)溫度傳感器測量的準(zhǔn)確性較低的問題,本發(fā)明實施例提供了一種溫度傳感器、顯示面板和顯示裝置。所述技術(shù)方案如下:
第一方面,提供了一種溫度傳感器,所述溫度傳感器包括n級反相器,所述n級反相器中的第k級反相器的輸入端與第k-1級反相器的輸出端連接,所述第k級反相器的輸出端與第k+1級反相器的輸入端連接,第n級反相器的輸出端與第1級反相器的輸入端連接,其中,n為大于或等于1的奇數(shù),k為大于1小于n的正整數(shù);
每級所述反相器包括串聯(lián)的第一薄膜晶體管TFT和第二TFT,所述第二TFT處于常開狀態(tài),所述第一TFT的開閉狀態(tài)由所述反相器輸入的信號決定,所述第一TFT的有源層的遷移率大于所述第二TFT的有源層的遷移率。
可選的,所述第一TFT的柵極與所述反相器的輸入端連接,所述第一TFT的第一極與所述第二TFT的第一極連接,所述第二TFT的柵極和所述第二TFT的第二極分別與用于輸出目標(biāo)電平信號的信號端口連接,所述反相器的輸出端與所述第一TFT的第一極和所述第二TFT的第一極分別連接,所述目標(biāo)電平信號為能夠使所述第二TFT導(dǎo)通的電平信號。
可選的,所述第一TFT為低溫多晶硅薄膜晶體管,所述第二TFT為非晶硅薄膜晶體管;
或者,所述第一TFT為氧化物薄膜晶體管,所述第二TFT為非晶硅薄膜晶體管;
或者,所述第一TFT為低溫多晶硅薄膜晶體管,所述第二TFT為氧化物薄膜晶體管。
可選的,所述第一TFT為底柵結(jié)構(gòu)、頂柵結(jié)構(gòu)或雙柵結(jié)構(gòu);
所述第二TFT為底柵結(jié)構(gòu)、頂柵結(jié)構(gòu)或雙柵結(jié)構(gòu)。
可選的,所述第一TFT和第二TFT的增益值大于1,所述增益值為
其中,AV為所述第一TFT和所述第二TFT之間的增益,μ1為所述第一TFT的有源層的遷移率,Cox1為所述第一TFT柵極絕緣層的電容,為所述第一TFT溝道的寬長比,μ2為所述第二TFT的有源層的遷移率,Cox2為所述第二TFT柵極絕緣層的電容,為所述第二TFT溝道的寬長比。
可選的,所述溫度傳感器還包括頻率檢測單元;
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