[發(fā)明專利]高壓發(fā)生裝置的曝光控制裝置及曝光控制系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710442750.8
• 申請日: 2017-06-13
• 公開（公告）號: CN107168444B
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發(fā)明（設計）人: 高松;彭沖;蔣國強
• 申請（專利權）人: 上海冠瑞醫(yī)療設備股份有限公司
• 主分類號: G05F1/625
• 分類號: G05F1/625
• 代理公司: 上海順華專利代理有限責任公司 31203
• 代理人: 袁威

本發(fā)明公開一種高壓發(fā)生裝置的曝光控制裝置及曝光控制系統(tǒng)，單片機經(jīng)第一抗干擾電路接收第一擋曝光手閘信號并控制第一觸發(fā)電路發(fā)出預備曝光觸發(fā)信號至高壓發(fā)生裝置；單片機接收高壓發(fā)生裝置傳來的第一信息，判斷是否收到手閘松開信息，為否時解析第一信息，判斷第一信息是否是預備曝光完成信息，為是時顯示預備曝光完成信息；還檢測是否收到經(jīng)第二抗干擾電路傳來的第二擋曝光手閘信號，為是時控制第二觸發(fā)電路發(fā)出開始曝光觸發(fā)信號；接收高壓發(fā)生裝置傳來的第二信息，判斷是否收到手閘松開信息，為否時解析第二信息，判斷第二信息是否是曝光完成信息，為是時顯示曝光完成信息。解決了曝光距離短、抗干擾能力差和因數(shù)據(jù)通信帶來的相關問題。

技術領域

本發(fā)明涉及高壓發(fā)生裝置的曝光控制技術領域，特別是涉及一種高壓發(fā)生裝置的曝光控制裝置及曝光控制系統(tǒng)。

背景技術

目前，大部分的高壓發(fā)生裝置曝光過程通常采用IO(輸入輸出)控制方式，該控制方式的缺點是曝光距離短，抗干擾能力差；還有一部分高壓發(fā)生裝置采用通信控制方式，該控制方式在通信過程中，數(shù)據(jù)量大，實時性高，如果處理不當，容易造成設備死機或高壓發(fā)生裝置無法曝光。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明針對現(xiàn)有技術存在的問題和不足，提供一種高壓發(fā)生裝置的曝光控制裝置及曝光控制系統(tǒng)，采用通信與IO相結合的控制方式，有效地解決了曝光距離短、抗干擾能力差和因數(shù)據(jù)通信帶來的相關問題。

本發(fā)明是通過下述技術方案來解決上述技術問題的：

本發(fā)明提供一種高壓發(fā)生裝置的曝光控制裝置，其特點在于，其包括一第一抗干擾電路、一單片機、一第一觸發(fā)電路、一第二抗干擾電路、一第二觸發(fā)電路、一緩存器和一顯示器；

該第一抗干擾電路用于接收一手閘傳來的第一擋曝光手閘信號；

該單片機用于接收該第一擋曝光手閘信號并發(fā)送一第一控制信號至該第一觸發(fā)電路；

該第一觸發(fā)電路用于接收該第一控制信號后發(fā)出一預備曝光觸發(fā)信號至該高壓發(fā)生裝置；

該單片機用于接收該高壓發(fā)生裝置傳輸來的第一信息并暫存至該緩存器中，并判斷是否接收到經(jīng)該第一抗干擾電路傳輸來的一手閘松開信息，在為否時解析該緩存器中的該第一信息，并判斷該第一信息是否是預備曝光完成信息，在為是時調(diào)用該顯示器顯示預備曝光完成信息；

該單片機還用于檢測是否接收到經(jīng)該第二抗干擾電路傳輸來的第二擋曝光手閘信號，在為是時發(fā)送一第二控制信號至該第二觸發(fā)電路；

該第二觸發(fā)電路用于接收該第二控制信號后發(fā)出一開始曝光觸發(fā)信號至該高壓發(fā)生裝置；

該單片機用于接收該高壓發(fā)生裝置傳輸來的第二信息并暫存至該緩存器中，并判斷是否接收到經(jīng)該第二抗干擾電路傳輸來的該手閘松開信息，在為否時解析該緩存器中的該第二信息，并判斷該第二信息是否是曝光完成信息，在為是時調(diào)用該顯示器顯示曝光完成信息。

較佳地，該曝光控制裝置還包括一計時器，該單片機中存儲有一設定時間值和一設定長度值；

該單片機用于接收該高壓發(fā)生裝置傳輸來的數(shù)據(jù)，并判斷該計時器記錄的接收的前一段數(shù)據(jù)的時間和該計時器記錄的接收的后一段數(shù)據(jù)的時間之間的時間間隔是否大于該設定時間值，在為是時將作為該第一信息的前一段數(shù)據(jù)暫存至該緩存器中并設置數(shù)據(jù)接收完成標志位，在為否時判斷接收的數(shù)據(jù)的長度是否大于該設定長度值，在為是時將作為該第一信息的數(shù)據(jù)暫存至該緩存器中并設置數(shù)據(jù)接收完成標志位；

該單片機還用于在未接收到該手閘松開信息時判斷數(shù)據(jù)標志位是否置位，在為是時解析該緩存器中的該第一信息并清除該數(shù)據(jù)標志位。