[發(fā)明專利]一種靶材余量測量裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710442063.6 | 申請日: | 2017-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN107101552B | 公開(公告)日: | 2019-04-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 邊松林;張勛澤;肖亮;宣增志;關(guān)召軍;丁文兵;張方馨 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G01B5/06 | 分類號: | G01B5/06 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭潤湘 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 余量 測量 裝置 | ||
本發(fā)明涉及真空磁控鍍膜技術(shù)領域,公開一種靶材余量測量裝置,該靶材余量測量裝置包括:主體結(jié)構(gòu),設有沿第一方向排列的多個測量軌道;每個測量軌道沿第二方向延伸,第二方向垂直于第一方向;多個頂針,與多個測量軌道一一對應;每個頂針沿第二方向延伸,且第一端限位于與其對應的測量軌道內(nèi);每個頂針可沿測量軌道自由移動、且可部分伸出測量軌道;多個滑塊,與多個測量軌道一一對應;每個滑塊可沿與其對應的測量軌道滑動地設置于測量軌道內(nèi)、且限位于頂針的第一端一側(cè);每個滑塊與測量軌道之間的靜摩擦力大于其自身重力;主尺,設置于主體結(jié)構(gòu)上,且設有沿第二方向排列的刻度線。上述靶材余量測量裝置的測量步驟很簡單,且測量結(jié)果比較精確。
技術(shù)領域
本發(fā)明涉及真空磁控鍍膜技術(shù)領域,特別涉及一種靶材余量測量裝置。
背景技術(shù)
在薄膜晶體管(TFT)及液晶顯示器制造領域,經(jīng)常采用物理氣相沉積技術(shù),該技術(shù)工藝一般是利用磁控濺射設備通過氬(Ar)原子轟擊靶材使靶材粒子沉積在基板表面以達到沉積成膜的目的。立式磁控濺射設備是目前比較常用的一種磁控濺射設備;其靶材后方的磁鐵可以一定程度上提高靶材的利用率,但是,由于其磁鐵的移動會在靶材表面形成凹凸不平的刻蝕曲線,而當刻蝕最深處超過靶材厚度時,會導致靶材擊穿而無法使用,因此確定殘靶刻蝕剩余量、并根據(jù)殘靶刻蝕剩余量來相應調(diào)整靶材使用周期,對于提高靶材的使用效率、提升產(chǎn)品的良率具有積極意義;上述殘靶刻蝕剩余量是指使用過的靶材被消耗最多處剩余靶材的厚度。
如圖1所示,傳統(tǒng)的殘靶刻蝕量測量工具是利用具有高摩擦系數(shù)的排針100模擬靶材刻蝕曲線;具體操作時,需以一定的作用力將排針100垂直于靶材表面壓向靶材,當排針100從被測靶材上移開時,會保留模擬的靶材刻蝕曲線,再在坐標紙上沿排針100的走向畫出被排針100模擬出的刻蝕曲線,最后利用坐標紙讀出靶材最小剩余量。利用上述殘靶刻蝕量測量工具進行測量,步驟繁瑣,耗時長,并且,上述殘靶刻蝕量測量工具在長時間使用后,其排針100摩擦系數(shù)會降低,進而經(jīng)常會有排針100掉落,從而導致排針100數(shù)目過少,進而導致模擬的刻蝕曲線不夠準確;另外,由于需要在坐標紙上用筆畫出模擬刻蝕曲線進行讀數(shù),因此,筆尖本身的厚度、筆尖與坐標紙不能保證實時垂直以及畫線過程中筆尖與排針100接觸導致排針100移動等情況,均會導致較大的測量誤差;綜上,上述殘靶刻蝕量測量工具的測量步驟繁瑣,且測量結(jié)果誤差較大,進而容易造成因把控刻蝕量不準確造成的靶材擊穿或靶材浪費現(xiàn)象。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開了一種靶材余量測量裝置,用于解決殘靶刻蝕量測量的步驟繁瑣且誤差較大的問題。
為達到上述目的,本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:
一種靶材余量測量裝置,包括:
主體結(jié)構(gòu),設有沿第一方向依次排列的多個測量軌道;每個測量軌道沿第二方向延伸,所述第二方向垂直于所述第一方向;
多個頂針,與所述多個測量軌道一一對應;每個頂針沿第二方向延伸,且第一端限位于與其對應的測量軌道內(nèi)、且限位于與所述測量軌道相對應的頂針的第一端一側(cè);每個頂針可沿與其對應的測量軌道自由移動、且可部分伸出所述測量軌道;
多個滑塊,與所述多個測量軌道一一對應;每個滑塊可沿與其對應的測量軌道滑動地設置于所述測量軌道內(nèi);每個滑塊與所述測量軌道之間的靜摩擦力大于其自身重力;
一主尺,設置于所述主體結(jié)構(gòu)上,且設有沿第二方向排列的刻度線。
上述靶材余量測量裝置可以具有如下操作步驟:
首先,將該靶材余量測量裝置垂直置于待測殘靶上方,具體地,將頂針可伸出測量軌道的一端、即頂針的第二端(與第一端相對)朝向殘靶表面設置;由于每個頂針可沿與其對應的測量軌道自由移動、且其第一端被限位于測量軌道內(nèi),進而此時,由于重力作用,每個頂針將部分伸出測量軌道外、且不會脫離測量軌道;隨后,將每個測量軌道中的滑塊調(diào)至與頂針的第一端接觸;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司,未經(jīng)京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710442063.6/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





