[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號: | 201710441393.3 | 申請日: | 2017-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN107527590B | 公開(公告)日: | 2022-07-01 |
| 發明(設計)人: | 崔埈源;印閏京;黃元美;安俊勇 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/3225 | 分類號: | G09G3/3225 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
提供了一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:第一掃描線,在第一方向上延伸;數據線和驅動電壓線,均在與第一方向交叉的第二方向上延伸;開關薄膜晶體管(“TFT”),連接到第一掃描線和數據線;驅動TFT,連接到開關TFT并且包括驅動半導體層和驅動柵電極;存儲電容器,連接到驅動TFT并且包括第一存儲電容器板和第二存儲電容器板;節點連接線,位于數據線與驅動電壓線之間并且連接到驅動柵電極;屏蔽部,位于數據線與節點連接線之間。
本申請要求于2016年6月15日提交的第10-2016-0074732號韓國專利申請的優先權和權益,該韓國專利申請的全部內容通過引用包含于此。
技術領域
一個或更多個示例性實施例涉及一種顯示裝置。
背景技術
通常,顯示裝置包括顯示元件和用于控制將被施加到顯示元件的電信號的電子元件。電子元件包括薄膜晶體管(“TFT”)、存儲電容器和多條布線。
為了精確地控制顯示元件的發射和發射程度,電連接到一個顯示元件的TFT的數量已經增加,向TFT傳輸電信號的多條布線的數量也已經增加。
發明內容
根據相關技術的顯示裝置,隨著薄膜晶體管(“TFT”)的元件和/或顯示裝置的布線之間的間隔減小以實現微型化的或高分辨率的顯示裝置,諸如驅動TFT的寄生電容的缺點已經增加。
一個或更多個示例性實施例包括防止寄生電容的發生并且減少截止電流的發生的顯示裝置。然而,上面的實施例僅作為示例提供,發明的范圍不限于此。
附加的示例性實施例將在下面的描述中部分地進行闡述,并且部分地通過描述將是明顯的,或者通過呈現的示例性實施例的實踐而了解。
根據一個或更多個示例性實施例,一種顯示裝置包括:第一掃描線,在第一方向上延伸;數據線和驅動電壓線,均在與第一方向交叉的第二方向上延伸;開關TFT,連接到第一掃描線和數據線;驅動TFT,連接到開關TFT并且包括驅動半導體層和驅動柵電極;存儲電容器,連接到驅動TFT并且包括第一存儲電容器板和第二存儲電容器板;節點連接線,連接到驅動柵電極并且布置在數據線與驅動電壓線之間;屏蔽部,布置在數據線與節點連接線之間。
在示例性實施例中,顯示裝置還可以包括具有補償半導體層和補償柵電極的補償TFT,其中,補償薄膜TFT響應于第一掃描線的掃描信號而導通并且使驅動TFT二極管連接。
在示例性實施例中,節點連接線的一側可以連接到補償半導體層。
在示例性實施例中,驅動電壓線可以覆蓋補償TFT的至少一部分。
在示例性實施例中,屏蔽部可以在第二方向上延伸。
在示例性實施例中,顯示裝置還可以包括提供初始化電壓的初始化電壓線,屏蔽部可以電連接到初始化電壓線。
在示例性實施例中,屏蔽部可以包括屏蔽半導體層和金屬屏蔽層中的至少一個,屏蔽半導體層包括與驅動半導體層的材料相同的材料,金屬屏蔽層包括金屬材料。
在示例性實施例中,顯示裝置還可以包括在第一方向上延伸并且與屏蔽部交叉的第二掃描線。
在示例性實施例中,屏蔽半導體層可以包括第一屏蔽區和第二屏蔽區,第一屏蔽區和第二屏蔽區在第二方向上彼此分隔開并且有第二掃描線位于第一屏蔽區與第二屏蔽區之間。
在示例性實施例中,第一屏蔽區可以通過導電層電連接到第二屏蔽區。
在示例性實施例中,導電層可以是金屬屏蔽層。
在示例性實施例中,屏蔽半導體層可以包括多晶硅。
在示例性實施例中,金屬屏蔽層可以包括與數據線、節點連接線和第二存儲電容器板中的至少一個的材料相同的材料。
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