[發(fā)明專利]一種寬電壓電源的相位補償方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710440719.0
• 申請日: 2017-06-13
• 公開（公告）號: CN107171559B
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發(fā)明（設計）人: 張輯;魏榮宗;蘇鷺梅;孔祥松
• 申請（專利權）人: 廈門理工學院
• 主分類號: H02M3/158
• 分類號: H02M3/158
• 代理公司: 廈門市精誠新創(chuàng)知識產(chǎn)權代理有限公司 35218
• 代理人: 何家富

1.一種寬電壓電源的相位補償方法，其特征在于，包括：

S1，使用仿真軟件根據(jù)下述公式計算出Boost電路在低壓輕載、低壓重載、高壓輕載和高壓重載四種模式下的占空比D，并設置比較電壓，產(chǎn)生相應PWM來控制開關：

其中，V₀為輸出電壓、V_i為輸入電壓、I₀輸出電流、R_esr為MOSFET管導通電阻、R_DS(ON)為二極管導通電阻，V_d輸出平均電壓；

S2，使用仿真軟件繪制開回路boost的伯德圖，并根據(jù)所述開回路boost的伯德圖確定開回路boost中的補償器類型；

S3，使用仿真軟件根據(jù)下述公式計算出補償器的電容值C和電阻值R，并繪制出補償器的伯德圖，判斷是否達到相位補償要求，是，則執(zhí)行步驟S4：

其中，f_C為補償?shù)霓D折頻率；

S4，根據(jù)步驟S3中得到的電容值C和電阻值R調(diào)整開回路boost，以得到閉回路boost。

2.根據(jù)權利要求1所述的寬電壓電源的相位補償方法，其特征在于，步驟S1進一步包括：

S11，根據(jù)下述公式確定開回路boost中的電感值L：

其中，f為MOSFET管工作頻率，I_L為負載電流。

3.根據(jù)權利要求2所述的寬電壓電源的相位補償方法，其特征在于，步驟S1進一步包括：

S12，根據(jù)下述公式確定開回路boost中的電容值C₀：

其中，L為電感，ΔV₀為輸出的紋波電壓。