[發(fā)明專利]低溫制備二維柔性離子敏場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710440266.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107238648A | 公開(公告)日: | 2017-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曾瑞雪;仇志軍;吳東平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 復(fù)旦大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N27/414 | 分類號(hào): | G01N27/414;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 上海正旦專利代理有限公司31200 | 代理人: | 陸飛,陸尤 |
| 地址: | 200433 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 低溫 制備 二維 柔性 離子 場(chǎng)效應(yīng) 晶體管 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及二維材料和電化學(xué)傳感器件制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及微波退火工藝。
背景技術(shù)
過(guò)去的幾十年里,基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的生物傳感器,將化學(xué)信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)測(cè)量,具有非標(biāo)記,快速響應(yīng),低功耗,便攜,利用微電子制造工藝實(shí)現(xiàn)低成本、大規(guī)模集成等優(yōu)點(diǎn),在生物,醫(yī)學(xué),工業(yè)制造,環(huán)境檢測(cè)等領(lǐng)域得到了廣泛的研究和應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道材料通常有三維的體硅,二維的石墨烯、過(guò)渡金屬硫化物、黑磷,一維納米結(jié)構(gòu)的碳納米管,硅基納米線等。其中二維材料相比三維材料,由于平面結(jié)構(gòu)有優(yōu)異的靜電特性,又比一維材料更加穩(wěn)定,易于制造,特別是二硫化鉬納米片,開關(guān)電流比遠(yuǎn)高于石墨烯,禁帶寬度可調(diào),生物兼容,是理想的基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的生物傳感器溝道材料。二硫化鉬薄膜可以達(dá)到原子層厚度,因此溝道載流子的輸入特征對(duì)氣體吸附十分敏感,產(chǎn)生電荷的轉(zhuǎn)移,適合用于氣體傳感器。而在二硫化鉬表面生長(zhǎng)敏感介質(zhì)層并功能化敏感膜表面可以進(jìn)行不同的傳感器檢測(cè)應(yīng)用。
隨著納米科學(xué)的進(jìn)步,納米材料也被廣泛應(yīng)用于生物或環(huán)境檢測(cè)的傳感器中。納米材料具有優(yōu)異的結(jié)構(gòu)、催化和電化學(xué)特性,將納米尺寸的金屬、金屬氧化物以及碳材料等與不同形貌的納米材料如上述提到的一維、二維材料等組成納米結(jié)構(gòu)作為傳感界面,可以顯著提高電化學(xué)傳感器的性能。例如,在二硫化鉬表面修飾納米金顆粒可以用于氣體檢測(cè)可以提高導(dǎo)電電流;在金電極上修飾二硫化鉬/金納米顆粒雜化結(jié)構(gòu),葡萄糖氧化酶在其上完成自組裝可以實(shí)現(xiàn)葡萄糖檢測(cè);納米金顆粒與寡核苷酸可以用于傳感器的功能化,實(shí)現(xiàn)DNA測(cè)序等。上述檢測(cè)手段有用納米結(jié)構(gòu)修飾電極,測(cè)量電流或阻抗的方式,也有用薄膜晶體管測(cè)量電流等方式。對(duì)于薄膜晶體管,由于上述基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的生物傳感器優(yōu)勢(shì),操作更加靈活方便,測(cè)試手段更加豐富,更加具有應(yīng)用前景。將薄膜晶體管與納米修飾材料結(jié)合,這樣的納米結(jié)構(gòu)具有高靈敏度,高電子輸運(yùn)速度,低背景電流的特點(diǎn),并且可以功能化敏感表面,實(shí)現(xiàn)傳感測(cè)量需求,同時(shí)也使得測(cè)量過(guò)程更加簡(jiǎn)單、便捷。
合成納米結(jié)構(gòu)的方法通常過(guò)程復(fù)雜,不易控制。例如電化學(xué)刻蝕或金屬顆粒的電沉積形成金屬納米顆粒,然而電化學(xué)方法制備納米結(jié)構(gòu)需要專業(yè)設(shè)備,操作復(fù)雜,成本高昂;金屬顆粒的電沉積難于形成均勻覆蓋納米顆粒的表面,限制了傳感過(guò)程中擴(kuò)散或使得納米顆粒間的擴(kuò)散層重疊,影響輸運(yùn)。同樣的,一些金屬氧化物納米結(jié)構(gòu)例如氧化鋅納米顆粒,通常用粉末固體與分散液混合滴涂與器件表面形成功能化界面,然而器件的性能很難保證均勻一致。另外,也有物理工藝常采用熱蒸發(fā)形成薄膜,隨后高溫?zé)嵬嘶鹗沟帽∧F(tuán)聚形成納米顆粒。這種物理工藝簡(jiǎn)單易行,但考慮到集成電路中的熱預(yù)算,以及生物傳感應(yīng)用常用到塑料、環(huán)氧樹脂等不耐高溫的柔性材料,需要找到一種低溫,有效地制備傳感器并合成功能化納米結(jié)構(gòu)的方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種低溫制備二維柔性離子敏場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法,實(shí)現(xiàn)柔性襯底上制備功能化納米結(jié)構(gòu),并提升器件傳感檢測(cè)性能,使得制備過(guò)程簡(jiǎn)單,降低制造成本。
本發(fā)明提供的低溫制備二維柔性離子敏場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法,具體步驟為:
提供非柔性襯底,在所述非柔性襯底上涂覆柔性材料前軀體,固化后形成器件柔性襯底;
在所述柔性襯底上形成圖形化金屬層一;
在所述圖形化金屬層一上方形成絕緣介質(zhì)層;
在所述絕緣介質(zhì)層上方轉(zhuǎn)移二維半導(dǎo)體薄膜作為器件的導(dǎo)電溝道;
在所述二維半導(dǎo)體薄膜上方形成圖形化金屬層二;
在所述二維半導(dǎo)體薄膜及圖形化金屬層二上方沉積修飾層材料;
采用微波退火工藝對(duì)器件進(jìn)行低溫退火處理;
將器件從所述非柔性襯底上分離開,得到柔性襯底上具有特定傳感功能的器件。
本發(fā)明采用微波退火工藝低溫進(jìn)行處理,使功能層表面發(fā)生團(tuán)聚,在傳感界面形成功能化納米結(jié)構(gòu),同時(shí)退火工藝也可以改善各層結(jié)構(gòu)之間的界面特性。
可選的,所述非柔性襯底為單晶硅或玻璃等。
可選的,所述柔性材料為對(duì)溫度有一定承受能力的有機(jī)物。例如,聚酰亞胺(PI)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)或環(huán)氧樹脂。
可選的,所述絕緣介質(zhì)層材質(zhì)可以為一下任意一種:
氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)以及高介電常數(shù)(high-k)柵介質(zhì)等。
可選的,所述圖形化金屬層一、所述圖形化金屬層二的材質(zhì)可以為金(Au)、鋁(Al)等金屬。
可選的,所述圖形化金屬層一的形成步驟包括:
在所述柔性襯底上形成金屬層;
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