[發明專利]一種提高射頻開關性能的射頻晶體管、芯片及移動終端有效
| 申請號： | 201710440225.2 | 申請日： | 2017-06-12 |
| 公開（公告）號： | CN107275311B | 公開（公告）日： | 2019-06-21 |
| 發明（設計）人： | 徐冠健;白云芳 | 申請（專利權）人： | 唯捷創芯(天津)電子技術股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京汲智翼成知識產權代理事務所(普通合伙) 11381 | 代理人： | 陳曦;董燁飛 |
| 地址： | 300457 天津市濱海*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 射頻 開關 性能 晶體管 芯片 移動 終端 | ||
1.一種提高射頻開關性能的射頻晶體管，其特征在于包括第一金屬層、第二金屬層、多晶硅層及有源區，所述第一金屬層設置在所述多晶硅層的上方，所述第一金屬層穿過所述多晶硅層的空檔區域后通過接觸孔分別與所述有源區的源區和漏區連接，所述第二金屬層與所述第一金屬層的交疊區域通過通孔連接；
所述第二金屬層的布線方向與所述多晶硅層的布線方向垂直，用以減少所述第一金屬層與所述多晶硅層之間的并行區域及所述接觸孔、所述通孔的數量。
2.如權利要求1所述的射頻晶體管，其特征在于：
所述多晶硅層與所述第二金屬層采用梳狀布線方式，所述第一金屬層采用條形布線方式。
3.如權利要求1所述的射頻晶體管，其特征在于：
所述有源區包括源區和漏區，所述有源區的上方設置有直柵式或曲柵式的所述多晶硅層，所述多晶硅層伸出所述有源區。
4.如權利要求3所述的射頻晶體管，其特征在于：
當所述多晶硅層為曲柵式結構時，減少所述第一金屬層與所述多晶硅層之間的并行區域及所述接觸孔、所述通孔的數量，同時增加相同芯片面積的空間容納的射頻晶體管的溝道寬度，使得關斷電容和導通電阻減小。
5.如權利要求1所述的射頻晶體管，其特征在于：
所述第一金屬層上方設置有位置對稱的所述第二金屬層，所述第二金屬層采用叉指狀結構布線方式。
6.如權利要求1所述的射頻晶體管，其特征在于：
所述射頻開關的品質因數為：Fom＝Coff×Ron，其中，Fom為品質因數，Coff為關斷電容，Ron為導通電阻。
7.如權利要求6所述的射頻晶體管，其特征在于：
所述關斷電容為：Coff＝Cfet+(C1+C2+C3+C4)/2，其中，Cfet為射頻晶體管的本征電容，C1為所述接觸孔與所述多晶硅層之間的并行電容，C2為所述第一金屬層與所述多晶硅層之間的并行電容，C3為所述通孔與所述多晶硅層之間的并行電容，C4為所述第二金屬層與所述多晶硅層之間的并行電容。
8.一種射頻開關芯片，其特征在于所述射頻開關芯片中包括有權利要求1～7中任意一項所述的射頻晶體管。
9.一種移動終端，其特征在于所述移動終端中包括有權利要求1～7中任意一項所述的射頻晶體管。
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