[發(fā)明專利]一種硅類雙結疊層太陽能電池

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• 申請日: 2017-06-12
• 公開（公告）號: CN107195712A
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發(fā)明（設計）人: 吳波;秦崇德;周文遠;方結彬
• 申請（專利權）人: 廣東愛康太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/06
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司11429
• 代理人: 孔凡亮

1.一種硅類雙結疊層太陽能電池，其特征在于，包括單晶硅P型電池、鍵合層(8)和Ge子電池，所述Ge子電池通過鍵合層(8)鍵合在單晶硅P型電池的背面；

采用Ge襯底作為支撐基底，通過MOCVD或MBE生長與Ge晶格匹配的所述Ge子電池，鍵合到單晶硅P型電池背面上，即得硅類雙結疊層太陽能電池。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種硅類雙結疊層太陽能電池，其特征在于，所述單晶硅P型電池包括上電極(12)、鈍化膜(11)、第二N+層(10)、第二P型層(9)；

所述上電極(12)設置在鈍化膜(11)上，鈍化膜(11)設置在第二N+層(10)上，所述第二N+層(10)設置在第二P型層(9)上，第二P型層(9)位于所述鍵合層(8)正面。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種硅類雙結疊層太陽能電池，其特征在于，所述Ge子電池包括下電極(1)、第一P型層(2)、第一N+層(3)、GaInP層(4)、GaInAs層(5)和隧道結(6)；

采用Ge襯底作為支撐基底，在Ge襯底上依次生長10-50nm GaInP層(4)、作為緩沖層的300-500nm厚GaInAs層(5)、及10-30nm的隧道結(6)。

4.根據(jù)權利要求3所述的一種硅類雙結疊層太陽能電池，其特征在于，所述GaInP層(4)摻雜類型為N型，摻雜濃度為1E18cm^-3-3E18cm^-3；

所述GaInAs層(5)摻雜類型為N型，摻雜濃度為3E18cm^-3-5E18cm^-3。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種硅類雙結疊層太陽能電池，其特征在于，所述鍵合層(8)采用點陣Au/Au鍵合。

6.根據(jù)權利要求5所述的一種硅類雙結疊層太陽能電池，其特征在于，所述鍵合層(8)上開有若干圓形或方形空隙，所述空隙內填充有EVA(7)。

7.根據(jù)權利要求3所述的一種硅類雙結疊層太陽能電池，其特征在于，所述隧道結(6)采用寬帶隙材料，帶隙選擇范圍為1.45-2.0ev，選用材料為GaInP或AlGaAs；N型摻雜為Si/Te共摻，濃度為2E19cm^-3-5E19cm^-3，P型摻雜采用C摻雜，濃度為1E20cm^-3-3E20cm^-3。

8.根據(jù)權利要求3所述的一種硅類雙結疊層太陽能電池，其特征在于，所述下電極(1)采用Au/Ge/Ni材料。

9.根據(jù)權利要求3所述的一種硅類雙結疊層太陽能電池，其特征在于，采用175μm Ge-P型襯底作為支撐基底。