[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法、有機電致發光顯示器

有效

• 申請號: 201710439938.7
• 申請日: 2017-06-12
• 公開（公告）號: CN107134474B
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發明（設計）人: 趙瑜;陳彩琴
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;武岑飛

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

基板；

有源半導體層，設置在所述基板上；

第一柵極絕緣層，設置在所述基板和所述有源半導體層上；

第一柵極，設置在所述第一柵極絕緣層上；

第二柵極絕緣層，設置在所述第一柵極和所述第一柵極絕緣層上，所述第二柵極絕緣層中具有暴露所述第一柵極的部分的第一過孔；

第二柵極，設置在所述第二柵極絕緣層上，所述第二柵極填充所述第一過孔，以與所述第一柵極連接接觸；

層間絕緣層，設置在所述第二柵極和所述第二柵極絕緣層上；

源極和漏極，彼此間隔設置于所述層間絕緣層上，所述源極和所述漏極貫穿所述層間絕緣層、所述第二柵極絕緣層和所述第一柵極絕緣層，以與所述有源半導體層分別接觸。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一過孔的數量為兩個，兩個所述第一過孔分別相對于所述第二柵極的兩端，所述第二柵極填充兩個所述第一過孔，以通過兩個所述第一過孔與所述第一柵極連接接觸。

3.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括：緩沖層，所述緩沖層設置于所述基板和所述有源半導體層之間以及所述基板和所述第一柵極絕緣層之間。

4.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括步驟：

在基板上制作形成有源半導體層；

在所述基板和所述有源半導體層上制作形成第一柵極絕緣層；

在所述第一柵極絕緣層上制作形成第一柵極；

在所述第一柵極和所述第一柵極絕緣層上制作形成第二柵極絕緣層；

在所述第二柵極絕緣層中形成暴露所述第一柵極的部分的第一過孔；

在所述第二柵極絕緣層上制作形成填充所述第一過孔的第二柵極，以使所述第二柵極與所述第一柵極連接接觸；

在所述第二柵極和所述第二柵極絕緣層上制作形成層間絕緣層；

在所述層間絕緣層上制作形成彼此間隔的源極和漏極，所述源極和所述漏極貫穿所述層間絕緣層、所述第二柵極絕緣層和所述第一柵極絕緣層，以與所述有源半導體層分別接觸。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，在所述第二柵極絕緣層中形成所述第一過孔的方法包括：在所述第二絕緣層中形成兩個所述第一過孔；兩個所述第一過孔分別相對于所述第二柵極的兩端；

在所述第二柵極絕緣層上制作形成所述第二柵極的方法包括：在所述第二柵極絕緣層上制作形成填充兩個所述第一過孔的第二柵極，以使所述第二柵極通過兩個第一過孔與所述第一柵極連接接觸。

6.根據權利要求4或5所述的制作方法，其特征在于，在基板上制作形成有源半導體層之前，所述制作方法還包括步驟：在基板上制作形成緩沖層；

步驟“在基板上制作形成有源半導體層”被替換為步驟“在緩沖層上制作形成有源半導體層”；

步驟“在所述基板和所述有源半導體層上制作形成第一柵極絕緣層”被替換為步驟“在所述緩沖層和所述有源半導體層上制作形成第一柵極絕緣層”。

7.一種有機電致發光顯示器，其特征在于，包括：

權利要求1至3任一項所述的薄膜晶體管；

平坦層，設置于所述層間絕緣層、所述源極和所述漏極上，所述平坦層中具有將所述漏極的部分暴露的第二過孔；

底電極，設置于所述平坦層上，所述底電極填充所述第二過孔，以與所述漏極連接接觸；

像素限定層，設置于所述平坦層和所述底電極上，所述像素限定層中具有將所述底電極的部分暴露的第三過孔；

有機電致發光組件，設置于暴露出的所述底電極上；

頂電極，設置于所述有機電致發光組件上。

8.根據權利要求7所述的有機電致發光顯示器，其特征在于，所述有機電致發光組件從所述底電極到所述頂電極順序包括：空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層以及電子注入層。

9.根據權利要求7所述的有機電致發光顯示器，其特征在于，所述基板為柔性基板。

10.根據權利要求7所述的有機電致發光顯示器，其特征在于，所述底電極或所述頂電極是透明的。