[發明專利]一種短路陽極SOI LIGBT

有效

• 申請號: 201710439235.4
• 申請日: 2017-06-07
• 公開（公告）號: CN107170802B
• 公開（公告）日: 2020-01-17
• 發明（設計）人: 羅小蓉;趙哲言;鄧高強;黃琳華;孫濤;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/739
• 代理公司: 51232 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 孫一峰

1.一種具有交替NP耐壓緩沖層結構的短路陽極SOILIGBT，包括自下而上依次層疊設置的P襯底(1)、埋氧層(2)和頂部半導體層；所述的頂部半導體層具有N漂移區(3)，N漂移區(3)一側有P阱區(4)，另一側為陽極結構；N+陰極區(5)和P+體接觸區(6)位于所述P阱區(4)的上表面，所述N+陰極區(5)位于靠近陽極結構一側，所述N+陰極區(5)和P+體接觸區(6)相互接觸且共同引出端為陰極；所述的N+陰極區(5)和N漂移區(3)之間的P阱區(4)上表面為柵極結構；所述柵極結構包括柵介質層(7)和覆蓋在柵介質層(7)之上的柵多晶硅(8)，柵多晶硅(8)的引出端為柵電極；所述陽極結構包括沿器件縱向交替排列的P+陽極區(9)和N+陽極區(10)，所述P+陽極區(9)和N+陽極區(10)位于埋氧層(2)上層，所述P+陽極區(9)和N+陽極區(10)的共同引出端為陽極；

其特征在于，所述陽極結構還包括N型島區(11)和P型島區(12)，所述N型島區(11)和P型島區(12)位于P+陽極區(9)和N+陽極區(10)靠近陰極結構的一側，所述N型島區(11)和P型島區(12)沿器件縱向交替排列，且N型島區(11)和P型島區(12)的底部與埋氧層(2)接觸；所述N型島區(11)和P型島區(12)在橫向上與P+陽極區(9)或N+陽極區(10)相接觸。

2.根據權利要求1所述的一種具有交替NP耐壓緩沖層結構的短路陽極SOILIGBT，其特征在于，所述N型島區(11)和P型島區(12)與P+陽極區(9)和N+陽極區(10)之間為N漂移區(3)。

3.根據權利要求1所述的一種具有交替NP耐壓緩沖層結構的短路陽極SOILIGBT，其特征在于，所述陽極結構中的P型島區(12)沿器件縱向方向上的寬度均相等。

4.根據權利要求1所述的一種具有交替NP耐壓緩沖層結構的短路陽極SOILIGBT，其特征在于，所述陽極結構中的P型島區(12)沿器件縱向方向上的寬度不相等，且其縱向間距越靠近N+陽極區(10)處越大。