[發明專利]一種抗強電磁干擾的基準電壓源

在審

• 申請號: 201710439110.1
• 申請日: 2017-06-12
• 公開（公告）號: CN107102672A
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發明（設計）人: 馮志波;張翼;邵珠雷
• 申請（專利權）人: 許昌學院
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 深圳茂達智聯知識產權代理事務所(普通合伙)44394
• 代理人: 胡慧

1.一種抗強電磁干擾的基準電壓源，其特征在于，其包括MOS管M1至M12，電容C1至C3，基準電壓輸出端口Vref；

MOS管M10、MOS管M11及MOS管M12連接并構成啟動電路；

MOS管M4至M9，電容C2共同構成偏置補償電路；

電容C1及電容C3用于屏蔽外界強電磁干擾；

MOS管M1與MOS管M2以自級聯方式連接，并與MOS管M4和MOS管M5共同構成基準電壓源核心電路。

2.根據權利要求1所述一種抗強電磁干擾的基準電壓源，其特征在于，MOS管M3的源極連接電源VDD，MOS管M3的柵極連接MOS管M6的柵極，MOS管M3的漏極連接MOS管M2的漏極；

MOS管M2的漏極連接MOS管M2的柵極，MOS管M2的柵極連接基準電壓輸出端口Vref，MOS管M2的源極連接MOS管M1的漏極；

MOS管M1的漏極連接MOS管M4的源極，MOS管M1的柵極連接MOS管M2的柵極，MOS管M1的源極接地；

電容C1的上端連接基準電壓輸出端口Vref，電容C1的下端接地；

MOS管M6的源極連接電源VDD，MOS管M6的柵極連接MOS管M7的柵極，MOS管M6的漏極連接MOS管M4的漏極；

MOS管M4的柵極連接MOS管M4的漏極，MOS管M4的源極連接MOS管M2的源極；

MOS管M7的源極連接MOS管M6的源極，MOS管M7的柵極連接MOS管M3的柵極，MOS管M7的漏極連接MOS管M5的漏極；

MOS管M5的柵極連接MOS管M4的柵極，MOS管M5的源極接地；

電容C2的上端連接MOS管M5的漏極，電容C2的下端接地；

MOS管M8的源極連接電源VDD，MOS管M8的柵極連接MOS管M7的柵極，MOS管M8的漏極連接MOS管M9的漏極；

MOS管M9的柵極連接電容C2的上端，MOS管M9的源極接地；

電容C3的上端連接電源VDD，電容C3的下端連接MOS管M3的柵極；

MOS管M10的漏極連接MOS管M9的漏極，MOS管M10的柵極連接MOS管M11的漏極，MOS管M10的源極接地；

MOS管M12的源極連接電源VDD，MOS管M12的柵極接地，MOS管M12的漏極連接MOS管M11的漏極；

MOS管M11的柵極連接MOS管M4的漏極，MOS管M11的源極接地。