[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201710438574.0
• 申請日: 2017-06-12
• 公開（公告）號: CN109037178B
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: 吳政璁;林鑫成;胡鈺豪;林文新
• 申請（專利權）人: 世界先進積體電路股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 郭曉宇

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

一基底，具有一第一導電型；

一第一阱，形成在該基底之中，并具有一第二導電型；

一第一摻雜區，形成在該第一阱之中，并具有該第二導電型；

一第二阱，形成在該基底之中，并具有該第一導電型；

一第二摻雜區，形成在該第二阱之中，并具有該第一導電型；

一場氧化層，設于該基底上，并位于該第一與第二摻雜區之間；

一第一導電層，重疊并直接接觸該場氧化層；

一第一絕緣層，重疊該第一導電層；以及

一第二導電層，重疊該第一絕緣層，

其中該場氧化層于該基底的一投射區域完全地位于該第一阱于該基底的一投射區域中。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第一阱接觸該第二阱。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第一導電層的形狀相同或不同于該第二導電層。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第一及第二導電層的至少一者以螺旋狀延伸。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第一導電層具有一第一導電端以及一第二導電端，該第二導電層具有一第三導電端以及一第四導電端。

6.如權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，更包括：

一第一走線，用以傳送一接地位準予該第一導電端、該第三導電端以及該第二摻雜區；以及

一第二走線，耦接該第二及第四導電端以及該第一摻雜區。

7.如權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，更包括：

一第二絕緣層，重疊該第二導電層；以及

一第三導電層，重疊該第二絕緣層，其中該第一及第二走線位于該第三導電層之上。

8.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第一導電型為P型，該第二導電型為N型。

9.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第一導電型為N型，該第二導電型為P型。

10.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，更包括：

一外延層，設置在該基底之中，并具有該第一導電型，其中該第一及第二阱位于該外延層之中。

11.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第一阱與該第二阱在空間上彼此分隔。

12.如權利要求11所述的半導體結構，其特征在于，更包括：

一第三摻雜區，設置于該第二阱之中，并位于該場氧化層與該第二摻雜區之間，并具有該第二導電型；

一柵極，設置于該基底之上，位于該場氧化層與該第三摻雜區之間，并重疊部分該場氧化層，其中該柵極、該第一摻雜區與該第三摻雜區構成一晶體管。

13.如權利要求12所述的半導體結構，其特征在于，該柵極與該第一導電層為同一道工藝所形成，該柵極與該第一導電層在空間上彼此隔離。

14.如權利要求12所述的半導體結構，其特征在于，該第一導電層具有一第一導電端以及一第二導電端，該第二導電層具有一第三導電端以及一第四導電端。

15.如權利要求14所述的半導體結構，其特征在于，更包括：

一第一走線，用以耦接該第二及第三摻雜區；

一第二走線，用以耦接該柵極以及該第一導電端；

一第三走線，用以耦接該第三導電端；以及

一第四走線，用以耦接該第二導電端、該第四導電端以及該第一摻雜區。