[發(fā)明專利]一種核探測(cè)器碲鋅鎘晶片表面鈍化的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710438002.2
• 申請(qǐng)日: 2017-06-12
• 公開（公告）號(hào): CN107275440A
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 閔嘉華;梁小燕;張瀅;徐夢(mèng)玥;李明;楊柳青;張繼軍;王林軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 上海上大專利事務(wù)所(普通合伙)31205
• 代理人: 陸聰明

1.一種核探測(cè)器碲鋅鎘晶片表面鈍化的方法，其特征在于，該方法采用表面沉積類金剛石薄膜(DLC)對(duì)CZT表面物理干法鈍化，其具體步驟如下：

a.拋光：首先將切割好的碲鋅鎘晶片用金剛砂進(jìn)行粗拋，依次用粒徑為1.0、 0.3、 0.1μm的氧化鋁拋光液對(duì)碲鋅鎘晶片進(jìn)行拋光，直至表面平整，然后用去離子水超聲清洗表面，再在N₂保護(hù)氣氛下吹干；

b. 腐蝕：將上述經(jīng)拋光、清洗處理后的CZT晶片依次放置于第一腐蝕液、第二腐蝕液中，進(jìn)行表面化學(xué)腐蝕，腐蝕時(shí)間分別為1～2分鐘；第一腐蝕液為5%Br₂＋甲醇(BM)的混合溶液，第二腐蝕液為2%Br₂＋20%乳酸＋乙二醇(LB)的混合溶液；將完成腐蝕后的碲鋅鎘晶片在甲醇中清洗，以去除表面殘余Br₂以及其他雜質(zhì)；

c. 制備金電極：將腐蝕后的CZT晶片放在N₂保護(hù)氣氛下吹干，在晶片表面覆蓋一層中間方形的鏤空掩膜板；接著將晶片放入蒸發(fā)設(shè)備中，真空度為10^-3～10^-4 Pa，在CZT晶片的一個(gè)表面蒸發(fā)沉積Au層，其蒸發(fā)沉積層厚度為100～150nm，然后自然冷卻0.5～1小時(shí)后取出；再將晶片放入蒸發(fā)設(shè)備中重復(fù)上述蒸發(fā)沉積步驟，在CZT晶片的另一個(gè)表面蒸發(fā)沉積Au層，其蒸發(fā)沉積層厚度為100～150nm；

d. 表面鈍化：將步驟c所得的CZT晶體表面進(jìn)行鈍化，采用與上一步驟相反的掩膜板保護(hù)金電極，在真空腔內(nèi)采用陽(yáng)極層離子源對(duì)步驟c所得的CZT晶體表面沉積DLC薄膜，其具體步驟為：向真空腔內(nèi)通入Ar 氣，真空腔內(nèi)氣壓為10^-3～10^－4 Pa，開啟陽(yáng)極層離子源對(duì)CZT表面清洗8～10 min；然后通入 C₂H₂氣體，保持溫度為20～25℃在金電極的CZT晶體表面沉積厚度為5～10nm的 DLC 薄膜，即得到表面鈍化的碲鋅鎘晶片。