[發明專利]一種制備鎳鈷的氧、硫化合物復合薄膜電極的方法

有效

• 申請號: 201710437056.7
• 申請日: 2017-06-12
• 公開（公告）號: CN107275108B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發明（設計）人: 方信賢;杜小娟;張帥;高生輝
• 申請（專利權）人: 南京工程學院
• 主分類號: H01G11/30
• 分類號: H01G11/30;H01G11/46;H01G11/86
• 代理公司: 江蘇圣典律師事務所 32237
• 代理人: 鄧麗;王偉

1.一種鎳鈷的氧、硫化合物復合薄膜電極的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）集流體基體預處理：將集流體基體進行除油、水洗、酸洗和水洗處理；

（2）集流體制備：將預處理的集流體基體置于鎳鈷磷化學鍍液中，在集流體基體表面均勻鍍覆鎳鈷磷合金鍍層，然后水洗，干燥；

（3）浸泡法涂覆硫化物溶液：將上述集流體浸泡于過飽和硫化物溶液中，使集流體表面獲得均勻的硫化物液膜；

（4）高溫氧化硫化：將表面均勻涂覆硫化物液膜的集流體置于含氧的加熱設備中進行高溫氧化硫化，反應溫度為330 ~ 420 ℃，反應時間為1 ~ 2小時，在集流體表面原位制備鎳鈷的氧、硫化合物復合電極材料膜，取出冷卻后即得到鎳鈷的氧、硫化合物復合薄膜電極。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟（1）中所述的集流體基體為導電性能良好的金屬或導電性良好的非金屬。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于：所述的集流體基體為金屬鎳箔、泡沫鎳、不銹鋼箔、銅箔、純鐵箔、碳材料。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于：所述的集流體基體為純鐵箔。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟（2）中所述的鎳鈷磷化學鍍液為高溫堿性鍍液，鎳鈷磷合金鍍層中鎳、鈷和磷的質量分數依次為30% ~ 50%、40% ~ 64%和6%~ 10%。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于：所述鎳、鈷和磷的質量分數依次為45.99%、46.01%和8.00%。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述鍍覆溫度為81~83℃，鍍覆時間為30~120分鐘。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述過飽和硫化物溶液為過飽和硫化鈉、過飽和硫化鉀或過飽和硫化銨。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟（3）中所述集流體在過飽和硫化物溶液中的浸泡時間為1 ~ 2分鐘。

10.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟（4）中所述的高溫反應溫度為350℃。