[發明專利]一種太陽能電池用硅片及其鍍膜工藝與鍍膜設備

有效

• 申請號: 201710436010.3
• 申請日: 2017-06-12
• 公開（公告）號: CN107204380B
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 吳衛偉;豐平;張輝;杜岳龍
• 申請（專利權）人: 徐州中輝光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/458
• 代理公司: 南京眾聯專利代理有限公司 32206
• 代理人: 顧進

1.一種太陽能電池用硅片，其包括有硅片本體；其特征在于，所述硅片本體的端面之上依次設置有氧化硅膜層、第一氮化硅膜層、第二氮化硅膜層與第三氮化硅膜層；所述氧化硅膜層、第一氮化硅膜層、第二氮化硅膜層與第三氮化硅膜層的厚度依次遞增；所述第一氮化硅膜層、第二氮化硅膜層與第三氮化硅膜層的折射率均大于氧化硅膜層的折射率，且第一氮化硅膜層的折射率至多為氧化硅膜層折射率的2倍，所述第二氮化硅膜層的折射率大于第一氮化硅膜層與第三氮化硅膜層的折射率；所述氧化硅膜層的厚度為1至3nm，折射率為1.3至1.6；所述第一氮化硅膜層的厚度為3至6nm，折射率為1.9至2.0；所述第二氮化硅膜層的厚度為15至30nm，折射率為2.1至2.3；第三氮化硅膜層的厚度為30至50nm，折射率為1.9至2.0；所述太陽能電池用硅片的鍍膜工藝包括有如下工藝步驟：1）將太陽能電池用硅片置于石墨舟之中，并將石墨舟送入PECVD設備內；控制PECVD設備內溫度為350至500℃，并以笑氣流量為0.8至2L/min，硅烷流量為0.5至1.5L/min的工況在太陽能電池用硅片之上進行氧化硅膜層的鍍膜處理；2）在步驟1）完成后，控制PECVD設備內溫度為350至500℃，并以氨氣流量為5至10L/min，硅烷流量為0.5至1.5L/min，工作壓力為1.4至2.0Torr，射頻功率為6至8kW的工況在氧化硅膜層之上進行第一氮化硅膜層的鍍膜處理，第一氮化硅膜層的鍍膜處理時間為20至80s；3）在步驟2）完成后，控制PECVD設備內溫度為350至500℃，并以氨氣流量為5至10L/min，硅烷流量為0.5至1.5L/min，工作壓力為1.4至2.0Torr，射頻功率為6至8kW的工況在氧化硅膜層之上進行第二氮化硅膜層的鍍膜處理，第二氮化硅膜層的鍍膜處理時間為80至150s；4）在步驟3）完成后，控制PECVD設備內溫度為350至500℃，并以氨氣流量為5至10L/min，硅烷流量為0.5至1.5L/min，工作壓力為1.4至2.0Torr，射頻功率為6至8kW的工況在氧化硅膜層之上進行第三氮化硅膜層的鍍膜處理，第三氮化硅膜層的鍍膜處理時間為400至600s；所述石墨舟包括有多個彼此平行的舟頁，多個舟頁之間通過陶瓷桿件進行連接；相鄰兩個舟頁之間的間距經由石墨舟的中部向其兩側逐漸增加；每一個舟頁之上均設置有多個用于固定太陽能電池用硅片的卡點，每一個卡點均經由舟頁的端面向其外部進行延伸，任意一個卡點的表面均設置有SiC鍍層。