[發明專利]一種用于電子領域的光存儲材料

在審

• 申請號: 201710434939.2
• 申請日: 2017-06-10
• 公開（公告）號: CN108329307A
• 公開（公告）日: 2018-07-27
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 郁海豐
• 主分類號: C07D417/14
• 分類號: C07D417/14;C09K11/06;G11C13/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種用于電子領域的光存儲材料。電子俘獲光存儲的本質是材料的光激勵發光特性。自從上世紀40年代出現關于光激勵發光材料的報道以來，該材料在光存儲、紅外探測、輻射劑量測定、光信息處理等許多領域展現了其應用潛力。本發明提供的材料性能優異，可以用于制備電子俘獲光存儲材料。

技術領域

本發明屬于電子領域，具體涉及一種用于電子領域的光存儲材料。

背景技術

電子俘獲光存儲的本質是材料的光激勵發光特性。自從上世紀40年代出現關于光激勵發光材料的報道以來，該材料在光存儲、紅外探測、輻射劑量測定、光信息處理等許多領域展現了其應用潛力。

電子俘獲光存儲材料的信息存儲機理可簡要描述如下:X射線或紫外光照射材料，在其內部產生電子和空穴，這些電子和空穴被俘獲在晶體內部的陷阱中，從而把輻射能量存儲起來，它們的密度分布與X射線或紫外光的輻射強度分布成正比。這一過程為信息的寫人。當受到光激勵時(波長比輻照光長)，電子陷阱中俘獲的電子逸出陷阱與空穴復合釋放能量，通常該能量不直接以發光形式釋放，而是傳遞到發光中心上再以可見光形式釋放，該過程為信息的讀出。這種發光又稱為光激勵發光(PSL)。發光強度與電子空穴對的濃度成正比，因此也與某一區域X射線或紫外光的吸收劑量成正比。

發明內容

本發明的目的在于提供一種用于電子領域的光存儲材料。

本發明通過下面技術方案實現：

一種電子俘獲光存儲材料，化學結構式如下：

權利要求1要求保護的材料用于制備電子俘獲光存儲材料的用途。

本發明技術效果：

本發明提供的材料性能優異，可以用于制備電子俘獲光存儲材料。

具體實施方式

下面結合實施例具體介紹本發明的實質性內容。

一種用于電子領域的光存儲材料，化學結構式如下：

上述材料用于制備電子俘獲光存儲材料的用途。

本發明提供的材料性能優異，可以用于制備電子俘獲光存儲材料。