[發明專利]運用選擇性移除鰭部的半導體結構的形成

有效

• 申請號: 201710432441.2
• 申請日: 2017-06-09
• 公開（公告）號: CN107492573B
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發明（設計）人: 謝瑞龍;卡瑞妮·B·拉貝爾;成敏圭
• 申請（專利權）人: 格羅方德半導體公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種制作半導體裝置的方法，該方法包含：

提供襯底，其具備上有第一硬掩模的第一多個鰭部、上有第二硬掩模的第二多個鰭部，該第一硬掩模有別于該第二硬掩模；

在該第一多個鰭部與該第二多個鰭部的下部分之間沉積第一填充材料；

在介于該第一多個鰭部與該第二多個鰭部之間的該第一填充材料上沉積第三硬掩模層；

在延展于該第一多個鰭部與該第二多個鰭部的諸上部分之間的該第三硬掩模上沉積第二填充材料；

選擇性地移除該第二硬掩模及該第二多個鰭部以在該第一填充材料與該第二填充材料中形成開穴；

在該開穴中沉積第三填充材料；以及

移除該第三硬掩模上面的該第二填充材料及該第三填充材料以形成鰭部切口區。

2.如權利要求1所述的方法，其中，該第一多個鰭部與該第二多個鰭部具有對應的相同關鍵尺寸。

3.如權利要求1所述的方法，其中，該第一多個鰭部與該第二多個鰭部之間具有相同間距。

4.如權利要求1所述的方法，其中，該選擇性地移除該第二多個鰭部包含蝕刻。

5.如權利要求1所述的方法，其中，該選擇性地移除該第二多個鰭部包含第一蝕刻及第二蝕刻，以及其中，該第一蝕刻有別于該第二蝕刻。

6.如權利要求1所述的方法，其中，該選擇性地移除該第二多個鰭部包含各向異性蝕刻。

7.如權利要求1所述的方法，其中，該選擇性地移除該第二多個鰭部包含進行各向同性蝕刻。

8.如權利要求1所述的方法，其中，該選擇性地移除該第二多個鰭部包含在各向異性蝕刻之后接著各向同性蝕刻。

9.如權利要求1所述的方法，其中，該沉積該第三硬掩模層包含定向沉積。

10.如權利要求1所述的方法，其中，該沉積該第三硬掩模層包含在該第一多個鰭部與該第二多個鰭部之間的該第一填充材料上、及該第一多個鰭部與該第二多個鰭部上沉積襯墊。

11.如權利要求1所述的方法，其中，該第一填充材料、該第二填充材料、及該第三填充材料包含相同材料。

12.如權利要求1所述的方法，其中，該第一填充材料、該第二填充材料、及該第三填充材料包含氧化物。

13.如權利要求1所述的方法，其中，該第一硬掩模包含SiBCN且該第二硬掩模包含SiN。

14.如權利要求1所述的方法，其中，該第一硬掩模包含SiN且該第二硬掩模包含SiCO，或該第一硬掩模包含SiCO且該第二硬掩模包含SiN。

15.如權利要求1所述的方法，其中，該第一多個鰭部與該第二多個鰭部具有對應的相同關鍵尺寸，并且該第一多個鰭部與該第二多個鰭部之間具有相同間距。

16.如權利要求1所述的方法，其中，該提供包含在該襯底上形成包含第一材料的該第一硬掩模，以包含第二材料的該第二硬掩模選擇性地取代部分該第一硬掩模。