[發明專利]一種新型摻鉈碘化銫晶體陣列制作封裝技術在審
| 申請號： | 201710432379.7 | 申請日： | 2017-06-09 |
| 公開（公告）號： | CN107390256A | 公開（公告）日： | 2017-11-24 |
| 發明（設計）人： | 楊建春 | 申請（專利權）人： | 上海翌波光電科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G01T1/202 | 分類號： | G01T1/202 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 新型 碘化 晶體 陣列 制作 封裝 技術 | ||
1.一種新型摻鉈碘化銫晶體陣列制作封裝技術，其特征在于，包括以下步驟，
S1：反射材料制備，將氧化鈦和環氧膠按比例混合，經過真空除氣泡，澆入模具中靜止固化制成塊，根據像素點間隔要求切成反射片；
S2：晶體切割，根據像素點尺寸將晶體切割研磨拋光制成所需尺寸寬度的晶體片；
S3：將晶體片和反射片依次疊合粘接，完成像素寬方向制作；
S4：將疊合好的塊切割研磨拋光制成所需尺寸長度的晶體片；
S5：再將晶體片疊合粘接成陣列塊，完成陣列長度方向制作；
S6：切割厚度方向，根據晶體陣列厚度要求依次將單個晶體陣列分割開來；
S7：將分割開的陣列底面貼上反射片；
S8：完成整個產品制作。
2.根據權利要求1所述的一種新型摻鉈碘化銫晶體陣列制作封裝技術，其特征在于，所述步驟S1中的反射材料的制備，氧化鈦和環氧膠重量配比為0.5:1-2:1。
3.根據權利要求1所述的一種新型摻鉈碘化銫晶體陣列制作封裝技術，其特征在于，所述步驟S2中的晶體切割尺寸寬度控制在0.1-6mm。
4.根據權利要求1所述的一種新型摻鉈碘化銫晶體陣列制作封裝技術，其特征在于，所述步驟S4中的晶體切割尺寸長度控制在0.1-6mm。
5.根據權利要求1所述的一種新型摻鉈碘化銫晶體陣列制作封裝技術，其特征在于，所述步驟S2中晶體切割尺寸寬度和S4中晶體切割尺寸長度相等。
6.根據權利要求1所述的一種新型摻鉈碘化銫晶體陣列制作封裝技術，其特征在于，所述步驟S6中的晶體陣列厚度控制在0.1-15mm。
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