[發(fā)明專利]顯示器的像素結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710432361.7
• 申請日: 2017-06-09
• 公開（公告）號(hào): CN107065330B
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林弘哲;吳尚杰;何昇儒;陳宜瑢
• 申請（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1343
• 分類號(hào): G02F1/1343;G02F1/1335;G02F1/1339
• 代理公司: 北京市立康律師事務(wù)所 11805
• 代理人: 梁揮;孟超

本發(fā)明公開了一種像素結(jié)構(gòu)，包含以矩陣排列的像素。每一像素包括沿著行方向排列的次像素，包括多個(gè)第一類型次像素和至少一第二類型次像素。不同行中的次像素交錯(cuò)排列，使得每一次像素列包含相同數(shù)量的第二類型次像素。每一次像素具有光阻和設(shè)置于其上的間隔物。第二類型次像素的光阻與第一類型次像素的光阻具有截面差，且該截面差大于每一第一類型次像素的間隔物的高度。對于每一第二類型次像素，間隔物底座從相對應(yīng)的共用電壓線延伸，且光阻設(shè)置于相對應(yīng)間隔物底座上以形成截面差。由上可知，每一共用電壓線具有相同數(shù)量的間隔物底座。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明有關(guān)于顯示技術(shù)，尤指使用間隔物(photo spacer)底座設(shè)計(jì)的像素結(jié) 構(gòu)，以及具有此像素結(jié)構(gòu)的顯示器，且其采用紅綠藍(lán)白顏色模型(RGBW model) 或其他顏色模型。

背景技術(shù)

于此所述的現(xiàn)有技術(shù)是用以總體上呈現(xiàn)本發(fā)明的脈絡(luò)。登記的發(fā)明人的作 品、此段落及實(shí)施細(xì)節(jié)所描述的內(nèi)容并不適格作為申請時(shí)的現(xiàn)有技術(shù)，亦不明 示或暗示其可當(dāng)作核駁本發(fā)明的現(xiàn)有技術(shù)。

目前液晶顯示器(liquid crystal displays,LCDs)為廣泛使用的顯示裝置。液晶顯示器可在低耗電的情形下顯示具有良好品質(zhì)的圖像，因而時(shí)常被用來作為 由電池驅(qū)動(dòng)的電子裝置的顯示器，所提電子裝置的實(shí)例為：膝上型電腦、行動(dòng) 電話、數(shù)碼相機(jī)以及其他可攜式裝置。

在Tsujimura等人所揭露的美國專利第6,689,629號(hào)，其已轉(zhuǎn)讓給本申請的 受讓人的母公司，AU Optronics Corp.，且其全部內(nèi)容已并入此案以供參考， 其布線，諸如陣列的掃描線及信號(hào)線，由諸如鋁或鋁合金的低電阻材料構(gòu)成較 佳，以便增加掃描線和信號(hào)線的運(yùn)作速度。然而，由于鋁往往容易氧化。因此，Tsujimura等人揭露了一種兩層結(jié)構(gòu)的布線，其具有鋁，鋁合金或其它低電阻 材料的下層，以及鉬，鉻，鉭，鈦，其合金或抗氧化導(dǎo)電材料的上層。Tsujimura還揭露了掃描線和信號(hào)線與連接墊接觸，由此使陣列連接至驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。Tsujimura亦揭露了形成位于連接墊與像素電極之間，但不與基板上任何布線 連接的偽導(dǎo)電圖案(dummy conductive patterns)。藉由增加一給定區(qū)域中的導(dǎo)電 材料的密度，偽導(dǎo)電圖案可減少蝕刻底切(etch undercut)現(xiàn)象并改善布線的楔形 (tapered)形狀。

在液晶顯示面板中，可由非晶硅(amorphous silicon)構(gòu)成薄膜晶體管 (thin-film transistor,TFT)的通道。然而，如Chen所揭露的美國專利第6,818,967 號(hào)，其轉(zhuǎn)讓給本申請的受讓人的母公司，AU Optronics Corp.，且其全部內(nèi)容 已并入此案以供參考，多晶硅(poly-silicon)通道TFT提供比非晶硅TFT更多的 優(yōu)勢，包括較低的功率和更高的電子遷移速率(electron migration rates)。多晶 硅可藉激光結(jié)晶(lasercrystallization)或激光退火技術(shù)(laser annealing technique) 將非晶硅轉(zhuǎn)換為多晶硅而形成。激光的使用允許在低于600℃的溫度下進(jìn)行制 造，此制造技術(shù)因此被稱為低溫多晶硅(low temperature poly-silicon,LTPS)。 如Chen所揭露，低溫多晶硅的再結(jié)晶(re-crystallization)過程導(dǎo)致在多晶硅層的 表面上形成隆起，而這些隆起影響了低溫多晶硅薄膜晶體管的電流特性。Chen 揭露了減少低溫多晶硅表面隆起尺寸的方法，為藉由執(zhí)行第一退火處理，然后 執(zhí)行表面蝕刻處理，例如使用氫氟酸溶液，然后執(zhí)行第二退火處理。所得到的 低溫多晶硅表面將具有高/寬比小于0.2的隆起。接著可以在低溫多晶硅層上方 沉積柵極絕緣層、柵極、介電層以及源極和漏極金屬層，以形成一完整的低溫 多晶硅薄膜晶體管。