[發(fā)明專利]一種適合表面貼裝工藝的壓阻式加速度傳感器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710429714.8
• 申請日: 2017-06-08
• 公開（公告）號: CN107265397B
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發(fā)明（設計）人: 周志健;朱二輝;于洋;陳磊;楊力建;鄺國華
• 申請（專利權）人: 廣東合微集成電路技術有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;G01P15/00
• 代理公司: 44332 廣東莞信律師事務所
• 代理人: 曾秋梅

1.一種適合表面貼裝工藝的壓阻式加速度傳感器，所述的傳感器包括襯底半導體材料、晶圓內(nèi)的絕緣層及頂層半導體材料；其特征在于：在襯底半導體材料內(nèi)與晶圓內(nèi)的絕緣層界面位置設有空腔；

頂層半導體材料和襯底半導體材料為反相摻雜；即頂層半導體材料為N型摻雜時，則襯底半導體材料為P型摻雜；頂層半導體材料為P型摻雜時，則襯底半導體材料為N型摻雜；

襯底半導體材料上設有電隔離溝槽；頂層半導體材料和襯底半導體材料外表設有絕緣層；被電隔離溝槽包圍的襯底半導體材料表面的絕緣層上形成有電接觸孔，電接觸孔內(nèi)重摻雜；沉積金屬，并形成金屬引腳；

在頂層半導體材料上形成有加速度傳感器的壓阻條、電學引線區(qū)及電學連接孔；

電學引線區(qū)和壓阻條部分重合，也與電隔離溝槽包圍的襯底半導體材料部分重合；

所述的電學連接孔通過絕緣層、頂層半導體材料及晶圓內(nèi)的絕緣層，暴露出部分襯底半導體材料；并且位置在電學引線區(qū)和電隔離溝槽包圍的襯底半導體材料部分的重合區(qū)域內(nèi)；在電學連接孔內(nèi)沉積導電層，并形成電連接通道；各電連接通道之間相互絕緣；

在所述晶圓內(nèi)的空腔上方通過頂層半導體材料表面的絕緣層、頂層半導體材料及晶圓內(nèi)的絕緣層，形成釋放槽，釋放加速度傳感器的可動結構，保護蓋板通過不導電鍵合材料鍵合在頂層半導體材料表面，形成密封空腔；所述保護蓋板在鍵合界面處設有空腔，空腔位置和加速度傳感器可動結構相對應，以保護加速度傳感器的可動結構并留有加速度傳感器可動結構運動的空間；或者，

在頂層半導體材料表面的絕緣層形成有鈍化層；在所述晶圓內(nèi)的空腔上方通過頂層半導體材料表面的鈍化層、絕緣層、頂層半導體材料及晶圓內(nèi)的絕緣層，形成釋放槽，釋放加速度傳感器的可動結構；在保護蓋板和所述鈍化層表面形成導電鍵合材料密封鍵合區(qū)，并相互對應，保護蓋板通過所述導電鍵合材料鍵合在鈍化層表面，形成密封空腔；所述保護蓋板在鍵合界面處設有空腔，空腔位置和加速度傳感器可動結構相對應，以保護加速度傳感器的可動結構并留有加速度傳感器可動結構運動的空間。

2.根據(jù)權利要求1所述的壓阻式加速度傳感器，其特征在于：所述的傳感器可基于預制空腔絕緣襯底上的硅晶圓制作。

3.根據(jù)權利要求1所述的壓阻式加速度傳感器，其特征在于：所述的電隔離溝槽的形狀為圓形環(huán)、長方形環(huán)或正方形環(huán)；電隔離溝槽內(nèi)全部填充、部分填充或者完全不填充絕緣層。

4.根據(jù)權利要求2所述的壓阻式加速度傳感器，其特征在于：所述的電隔離溝槽的形狀為圓形環(huán)、長方形環(huán)或正方形環(huán)；電隔離溝槽內(nèi)全部填充、部分填充或者完全不填充絕緣層。

5.根據(jù)權利要求1至4任一項所述的壓阻式加速度傳感器，其特征在于：所述的電學連接孔的形狀為圓形或方形。