[發明專利]AMOLED顯示面板結構有效
| 申請號: | 201710429361.1 | 申請日: | 2017-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN107195663B | 公開(公告)日: | 2020-09-01 |
| 發明(設計)人: | 韓佰祥;吳元均;呂伯彥 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | amoled 顯示 面板 結構 | ||
本發明提供一種AMOLED顯示面板結構,設置有多條沿橫向延伸的掃描線(11)、多條沿縱向延伸并與掃描線(11)絕緣交叉的數據線(21)、與掃描線(11)同等數目的沿縱向延伸的轉接線(31)、數個電性連接轉接線(31)的行驅動電路(91)、及數個電性連接數據線(21)的列驅動電路(92);一轉接線(31)對應電性連接一掃描線(11),一行驅動電路(91)對應電性連接數條轉接線(31),一列驅動電路(92)對應電性連接數條數據線(21);所述行驅動電路(91)與列驅動電路(92)共同位于下邊框區(B4)內;左邊框區(B1)、右邊框區(B2)、與上邊框區(B3)僅作封裝用,能夠實現AMOLED顯示面板的三邊均為超窄邊框。
技術領域
本發明涉及OLED顯示器件技術領域,尤其涉及一種AMOLED顯示面板結構。
背景技術
在顯示技術領域,液晶顯示面板(Liquid Crystal Display,LCD)與有機發光二極管顯示面板(Organic Light Emitting Diode,OLED)等平板顯示裝置已經逐步取代陰極射線管(Cathode Ray Tube,CRT)顯示器。其中,OLED顯示面板具有自發光、驅動電壓低、發光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬,可實現柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優點,而被廣泛地應用于智能手機、平板電腦、全彩電視等。
OLED顯示面板按照驅動方式可以分為無源矩陣(Passive Matrix,PM)型和有源矩陣(Active Matrix,AM)型兩大類,即直接尋址和薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)矩陣尋址兩類。
圖1所示為現有的AMOLED顯示面板的前視示意圖,圖2所示為現有的AMOLED顯示面板的內部電路走線示意圖,結合圖1與圖2可知,現有的AMOLED顯示面板具有顯示區AA’、及圍繞在所述顯示區AA’外圍的左邊框區B1’、右邊框區B2’、上邊框區B3’、與下邊框區B4’。
所述顯示區AA’內排布有多條沿橫向延伸的掃描線100、及多條沿縱向延伸并與所述掃描線100絕緣交叉的數據線200。所述上邊框區B3’僅作封裝用;所述左邊框區B1’與右邊框區B2’除了作封裝用之外,還要排布數個與掃描線100連接、向掃描線100輸入掃描信號的行驅動IC 300;所述下邊框區B4’除了作封裝用之外,還要排布數個與數據線200連接、向數據線200輸入數據信號的列驅動IC 400;因此,所述左邊框區B1’、右邊框區B2’、及下邊框區B4’的寬度較大。
隨著顯示技術的不斷發展,用戶對超窄邊框顯示面板的需要將變得越來越強烈,所以有必要對上述現有的AMOLED顯示面板進行改善。
發明內容
本發明的目的在于提供一種AMOLED顯示面板結構,相比現有技術能夠減少AMOLED顯示面板的左邊框區與右邊框區的寬度,使得上邊框區、
左邊框區、與右邊框區均為超窄邊框,達到AMOLED顯示面板三邊近乎無邊框的狀態。
為實現上述目的,本發明提供一種AMOLED顯示面板結構,包括第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層、數個行驅動電路、及數個列驅動電路;
所述第二金屬層包括多條沿橫向延伸的掃描線,所述第三金屬層包括多條沿縱向延伸并與所述掃描線絕緣交叉的數據線,所述第一金屬層包括與所述掃描線同等數目的沿縱向延伸的轉接線;
一轉接線對應電性連接一掃描線,一行驅動電路對應電性連接數條轉接線,一列驅動電路對應電性連接數條數據線;
所述AMOLED顯示面板結構具有顯示區、及圍繞在所述顯示區外圍的左邊框區、右邊框區、上邊框區、與下邊框區;所述行驅動電路與列驅動電路共同位于所述下邊框區內;所述左邊框區、右邊框區、與上邊框區僅作封裝用。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





