[發(fā)明專利]一種OLED器件及制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710429192.1 | 申請日: | 2017-06-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107221554B | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李文杰;吳聰原 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 鐘子敏 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 oled 器件 制造 方法 | ||
一種OLED器件,包括:TFT基板、涂布區(qū)、封框膠、蓋板以及支撐柱;其中,所述涂布區(qū)位于TFT基板中央,封框膠設(shè)置在涂布區(qū)四周,蓋板設(shè)置在涂布區(qū)和封框膠上,支撐柱用于支撐蓋板設(shè)置在涂布區(qū)上表面。將支撐柱設(shè)置在涂布區(qū)的表面,降低對位精度,便于加工,同時(shí)保持大尺寸面板盒厚均一性,避免了牛頓環(huán)的出現(xiàn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是應(yīng)用于液晶顯示領(lǐng)域里的一種OLED器件及制造方法。
背景技術(shù)
有機(jī)發(fā)光器件OLED(Organic Light Emitting Diode)以其良好的自發(fā)光特性、高的對比度、快速響應(yīng)以及柔性顯示等優(yōu)勢,得到了廣泛的應(yīng)用。傳統(tǒng)的OLED采用真空蒸鍍技術(shù),目前可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)化。但是該技術(shù)需要采用精細(xì)掩模版,導(dǎo)致材料利用率低;另外,如果對于大尺寸面板,掩模版的制備工藝飽受挑戰(zhàn)。近些年,印刷顯示技術(shù)(噴墨打印,Ink jetprinting,IJP)發(fā)展迅速。IJP是OLED實(shí)現(xiàn)大尺寸以及低成本生產(chǎn)的最佳途徑。
采用IJP制備OLED,需要對像素定義層以及襯底電極進(jìn)行修飾,使得噴墨能夠準(zhǔn)確落入像素內(nèi),并且無溢流現(xiàn)象發(fā)生。現(xiàn)有技術(shù)中,對噴墨的液滴在不同截面的流動(dòng)鋪展情況進(jìn)行探究,對襯底進(jìn)行親疏水性圖案化,液滴在一定著落速度下,會(huì)流向親水界面,具有形成軌跡結(jié)構(gòu)(trace patten)的功能。因此,可以對噴墨接觸的襯底電極以及像素定義層表面進(jìn)行親疏水圖案化(襯底電極為ITO,親水性表面;像素定義層為疏水性表面),使得噴墨流向像素內(nèi)。
在OLED器件制備過程中,為了使得封裝蓋板在外力撞擊時(shí)不對OLED器件(比如陰極,偏振鏡等)造成損傷,使得整個(gè)器件有一定的抗壓能力,現(xiàn)有技術(shù)通常會(huì)在TFT基板上制作多個(gè)PS(photo spacer,支撐柱)。支撐柱還有另外一個(gè)作用,即保持大尺寸面板盒厚均一性,避免牛頓環(huán)出現(xiàn)。
噴墨打印制備的OLED所采用的基板像素定義層表面為疏水性,而支撐柱一般為有機(jī)光阻,在疏水性表面鋪展不開;一般情況會(huì)將支撐柱做在蓋板上,這樣就對設(shè)備的對位精度有很高的要求,且不易實(shí)施。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題,本發(fā)明用噴嘴打印的方式將支撐柱制作在OLED陰極的保護(hù)層保持大尺寸面板盒厚均一性,避免牛頓環(huán)出現(xiàn)。
一種OLED器件,包括:TFT基板、涂布區(qū)、封框膠、蓋板以及支撐柱;
其中,所述涂布區(qū)位于TFT基板中央,封框膠設(shè)置在涂布區(qū)四周,蓋板設(shè)置在涂布區(qū)和封框膠上,支撐柱用于支撐蓋板設(shè)置在涂布區(qū)上表面。
所述的OLED器件,其中,涂布區(qū)包括多個(gè)相互間隔設(shè)置的像素定義層和襯底電極層,每個(gè)襯底電極層表面覆蓋有機(jī)半導(dǎo)體層,所述有機(jī)半導(dǎo)體層和像素電極層上由下至上依次覆蓋有陰極導(dǎo)電層和保護(hù)層,所述保護(hù)層位于每個(gè)像素定義層中央的上表面設(shè)置支撐柱。
所述的OLED器件,其中,所述像素定義層靠近有機(jī)半導(dǎo)體層的表面具有疏水特性。
所述的OLED器件,其中,所述襯底電極層靠近有機(jī)半導(dǎo)體層的表面具有親水性。
所述的OLED器件,其中,所述支撐柱為有機(jī)高分子聚合物,所述有機(jī)高分子聚合物為高粘度聚合物。
所述的OLED器件,其中,所述高粘度聚合物的粘度為200Pa·s~2000Pa·s。
所述的OLED器件,其中,所述支撐柱的高度為2~20μm;寬度為1~100μm。
一種OLED器件的制造方法包括以下步驟:
步驟一、在TFT基板中央形成襯底電極層,并對襯底電極層表面進(jìn)行親水性處理;
步驟二、在TFT基板上形成像素電極層,并對像素電極層的表面形成疏水性處理;
步驟三、在襯底電極層上設(shè)置有機(jī)半導(dǎo)體層;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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