[發明專利]一種薄膜晶體管的制備方法、陣列基板和液晶顯示面板

有效

• 申請號: 201710428424.1
• 申請日: 2017-06-08
• 公開（公告）號: CN107204377B
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發明（設計）人: 姜春生;武岳
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 44280 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 鐘子敏<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

在一基板上形成屏蔽金屬；

在所述屏蔽金屬和所述基板未形成屏蔽金屬的區域上沉積阻擋絕緣層；

在所述阻擋絕緣層上形成金屬氧化物半導體層，所述金屬氧化物半導體層包括源區、漏區和溝道區；

在所述金屬氧化物半導體層的溝道區上形成柵極絕緣層，并在所述柵極絕緣層上形成柵極；

通過金屬刻蝕溶液對所述金屬氧化物半導體層的源區和漏區進行刻蝕，以使所述源區和漏區處的金屬氧化物半導體層轉變為導體，其中所述金屬氧化物半導體層為銦鎵鋅氧化物IGZO半導體層，所述金屬刻蝕溶液為銅刻蝕溶液，以使得所述銅刻蝕溶液對所述IGZO半導體層的源區和漏區的鎵元素進行刻蝕，保留銦元素和鋅元素；

對所述金屬刻蝕溶液進行清除，并繼續在所述金屬氧化物半導體層、柵極和阻擋絕緣層上依次沉積層間絕緣層、源極、漏極、鈍化層和像素電極。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金屬刻蝕溶液的PH值范圍為[3.8,4.5]。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，對所述金屬刻蝕溶液進行清除，包括：

對所述基板、金屬氧化物半導體層、柵極絕緣層和柵極進行酸洗，以清除所述金屬刻蝕溶液。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述導體化的金屬氧化物半導體層、柵極和阻擋絕緣層上依次沉積層間絕緣層、源極、漏極、鈍化層和像素電極，包括：

在所述導體化的金屬氧化物半導體層、柵極和阻擋絕緣層上沉積層間絕緣層；

利用第一道光罩對所述層間絕緣層進行圖案化處理，以形成第一接觸孔圖案，所述第一接觸孔圖案對應于所述金屬氧化物半導體層的漏區和源區；

在所述層間絕緣層上沉積第一導電層，并利用第二道光罩對所述第一導電層進行圖案化處理，以形成漏極和源極，所述漏極和源極分別對應于所述金屬氧化物半導體層的漏區和源區；

在所述層間絕緣層和第一導電層上沉積鈍化層，利用第三道光罩對所述鈍化層進行圖案化處理，以形成第二接觸孔圖案，所述第二接觸孔圖案對應于所述漏極；

在所述鈍化層上沉積第二導電層，利用第四道光罩對所述第二導電層進行圖案化處理以形成所述像素電極。

5.一種陣列基板，其特征在于，包括基板，以及若干個設置在所述基板上的薄膜晶體管；其中，所述薄膜晶體管包括：

設置在所述基板上的屏蔽金屬；

設置在所述屏蔽金屬上的阻擋絕緣層；

設置在所述阻擋絕緣層上的金屬氧化物半導體層，所述金屬氧化物半導體層包括源區、漏區和溝道區；

設置在所述金屬氧化物半導體層的溝道區上的柵極絕緣層和柵極；設置在所述金屬氧化物半導體層、柵極和阻擋絕緣層上的層間絕緣層、源極、漏極、鈍化層和像素電極；

所述源極與所述金屬氧化物半導體層的源區連接，所述漏極與所述金屬氧化物半導體層的漏區接觸，所述像素電極與所述漏極接觸；

其中，所述金屬氧化物半導體層的源區和漏區是經過金屬刻蝕溶液刻蝕的，所述金屬氧化物半導體層為銦鎵鋅氧化物IGZO半導體層，所述金屬刻蝕溶液為銅刻蝕溶液，以使得所述銅刻蝕溶液對所述銦鎵鋅氧化物IGZO半導體層的源區和漏區的鎵元素進行刻蝕，保留銦元素和鋅元素。

6.一種液晶顯示面板，包括陣列基板、彩膜基板以及夾置在所述陣列基板和彩膜基板之間的液晶，其中，所述陣列基板為權利要求5所述的陣列基板。