[發明專利]一種暴露高能(001)晶面超薄CdS納米帶的制備方法

有效

• 申請號: 201710428143.6
• 申請日: 2017-06-08
• 公開（公告）號: CN107098377B
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發明（設計）人: 趙才賢;陳烽;張立群;詹夏;易蘭花;羅和安
• 申請（專利權）人: 湘潭大學
• 主分類號: C01G11/02
• 分類號: C01G11/02;B82Y40/00;B01J27/04;C01B3/04
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246
• 代理人: 張宇江

1.一種暴露(001)晶面的超薄CdS納米帶的制備方法，其特征在于：制備過程如下：

(1)將無機鎘鹽，去離子水，二亞乙基三胺和硫粉混均，所述無機鎘鹽與二亞乙基三胺物質的量之比為1：100～600，去離子水與二亞乙基三胺物質的量之比為1：200～1000，硫粉與二亞乙基三胺物質的量之比為1：30～200；在攪拌下進行溶劑熱反應；得溶劑熱產物；

(2)將溶劑熱產物分散于去離子水中，超聲剝離，制得暴露(001)晶面的超薄CdS納米帶。

2.根據權利要求1所述的一種暴露(001)晶面的超薄CdS納米帶的制備方法，其特征在于：所述無機鎘鹽是Cd(NO₃)₂、CdCl₂、Cd(CH₃COO)₂、Cd(NO₃)₂·4H₂O、CdCl₂·2.5H₂O或Cd(CH₃COO)₂·2H₂O之任一種或二種以上之混合物；所述溶劑熱反應溫度為60～120℃，反應時間為24～72h，攪拌速率為30～600轉/分鐘。

3.根據權利要求1所述的一種暴露(001)晶面的超薄CdS納米帶的制備方法，其特征在于：所述暴露(001)晶面的超薄CdS納米帶的厚度為1～4nm，寬度為5～20nm，長度為80～120nm。

4.根據權利要求1所述一種暴露(001)晶面的超薄CdS納米帶的制備方法，其特征在于：所述超聲剝離過程溶液的PH值為8～10.5，超聲剝離時間為1～10h。