[發明專利]有機發光二極管陣列基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201710427376.4 | 申請日: | 2017-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN109037273B | 公開(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發明(設計)人: | 朱升;張正元;隨鵬;袁粲;卓曉軍;王濤 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本公開提供一種有機發光二極管陣列基板,該有機發光二極管陣列基板包括:襯底基板和依次設置在所述襯底基板上的第一金屬層、第一絕緣層和第二金屬層;其中,所述第一金屬層包括第一電源走線,所述第二金屬層包括第二電源走線;所述第二電源走線通過貫穿所述第一絕緣層中的第一過孔結構與所述第一電源走線并聯連接。該陣列基板中第一電源走線和第二電源走線通過第一過孔結構并聯連接,這可以減小電壓降。
技術領域
本發明的實施例涉及一種有機發光二極管陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
OLED(Organic Light Emitting Diode,有機發光二極管)顯示器是新一代的顯示器,與液晶顯示器相比,具有自發光,響應速度快以及視角寬等優點,可以用于柔性顯示、透明顯示、3D顯示等。
有機發光二極管(OLED)陣列基板包括多個像素單元,每個像素單元可以包括開關晶體管、驅動晶體管和OLED顯示器件。OLED是電流型發光器件,其主要包括陽極、陰極以及有機材料功能層。OLED主要的工作原理是:有機材料功能層在陽極和陰極形成的電場的驅動下,通過載流子注入和復合而發光。與OLED的陽極或者陰極電連接的驅動晶體管起著限流的作用,如果驅動晶體管的電極材料的電阻率太大或者電源走線的電阻太大,則會出現很大的電壓降,而且對于不同位置處的像素單元的影響不同,從而對顯示的均一性產生不利影響。
發明內容
本發明至少一實施例提供一種有機發光二極管陣列基板,該有機發光二極管陣列基板包括:襯底基板和依次設置在所述襯底基板上的第一金屬層、第一絕緣層和第二金屬層;其中,所述第一金屬層包括第一電源走線,所述第二金屬層包括第二電源走線;所述第二電源走線通過貫穿所述第一絕緣層中的第一過孔結構與所述第一電源走線并聯連接。
例如,在本發明至少一實施例提供的有機發光二極管陣列基板中,所述第一金屬層的電阻率小于所述第二金屬層的電阻率。
例如,在本發明至少一實施例提供的有機發光二極管陣列基板中,所述第一金屬層的材料包括銅、銅合金、銀和銀合金中的至少之一;所述第二金屬層的材料包括鎳、鉬、鈮、鋁、鈦及其任意組合形成的合金中的至少之一。
例如,在本發明至少一實施例提供的有機發光二極管陣列基板中,所述第二電源走線通過貫穿所述第一絕緣層中的至少兩個所述第一過孔結構與所述第一電源走線并聯連接。
例如,在本發明至少一實施例提供的有機發光二極管陣列基板中,所述第一電源走線的寬度大于所述第二電源走線的寬度。
例如,在本發明至少一實施例提供的有機發光二極管陣列基板中,所述第一電源走線具有面狀結構。
例如,本發明至少一實施例提供的有機發光二極管陣列基板還包括像素結構,其中,所述像素結構包括驅動晶體管,所述驅動晶體管包括柵極、柵絕緣層、第二絕緣層和第一電極;所述第一電極通過貫穿所述第二絕緣層和所述柵絕緣層的第二過孔結構與所述第二電源走線電連接。
例如,在本發明至少一實施例提供的有機發光二極管陣列基板中,所述柵極的材料與所述第二電源走線的材料相同,所述柵極與所述第二電源走線同層且相互間隔設置。
本發明至少一實施例還提供一種顯示裝置,包括上述任一所述的有機發光二極管陣列基板。
本發明至少一實施例還提供一種有機發光二極管陣列基板的制備方法,該制備方法包括:提供襯底基板;在所述襯底基板上依次形成第一金屬層、第一絕緣層和第二金屬層;其中,所述第一金屬層包括第一電源走線,所述第二金屬層包括第二電源走線;所述第二電源走線通過貫穿所述第一絕緣層中的第一過孔結構與所述第一電源走線并聯連接。
例如,在本發明至少一實施例提供的制備方法中,所述第一金屬層的電阻率小于所述第二金屬層的電阻率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





