[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710426584.2
• 申請日: 2017-06-08
• 公開（公告）號: CN107546122B
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張胤京;金相辰;樸東云;樸俊洙;楊昌宰;尹廣燮;朱惠卿
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/423
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在襯底上順序地形成半導(dǎo)體層、第一犧牲層和第二犧牲層；

圖案化所述第二犧牲層以形成第二犧牲圖案；

在所述第二犧牲圖案的相反側(cè)上分別形成間隔物圖案，其中所述間隔物圖案的間距是恒定間距，并且所述間隔物圖案的寬度是恒定寬度；

去除所述第二犧牲圖案；

形成覆蓋所述間隔物圖案的掩模層；

在所述掩模層上形成支持圖案，其中所述支持圖案的寬度大于所述間隔物圖案的寬度，并且所述支持圖案與所述間隔物圖案的至少一部分交疊；

將所述支持圖案和所述間隔物圖案轉(zhuǎn)移到所述第一犧牲層上以形成犧牲柵極圖案和犧牲支持圖案；以及

將所述犧牲柵極圖案和所述犧牲支持圖案轉(zhuǎn)移到所述半導(dǎo)體層上以形成柵極和支持柵極，

其中相鄰柵極之間的間距等于所述支持柵極與最相鄰的柵極之間的間距，并且等于所述間隔物圖案的所述恒定間距。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述間隔物圖案包括氧化物膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述犧牲支持圖案包括第一犧牲支持圖案和第二犧牲支持圖案，并且所述第一犧牲支持圖案形成在所述第二犧牲支持圖案與所述犧牲柵極圖案之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第一犧牲支持圖案的寬度與所述第二犧牲支持圖案的寬度不同。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第一犧牲支持圖案與所述第二犧牲支持圖案之間的間距與所述間隔物圖案的間距不同。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第一犧牲支持圖案與所述第二犧牲支持圖案之間的間距大于所述間隔物圖案的所述間距。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中：

將所述犧牲支持圖案轉(zhuǎn)移到所述半導(dǎo)體層上包括將所述第一犧牲支持圖案和所述第二犧牲支持圖案轉(zhuǎn)移到所述半導(dǎo)體層上以形成第一支持柵極和第二支持柵極，以及

所述第一支持柵極和所述第二支持柵極之間的間距等于相鄰柵極之間的所述間距。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述柵極和所述支持柵極在第一方向上平行延伸。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括鰭型圖案，所述鰭型圖案比所述襯底更遠(yuǎn)地突出，在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸，并且形成在所述柵極和所述支持柵極下方。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述鰭型圖案是多個，并且所述半導(dǎo)體器件還包括形成在所述鰭型圖案之間的場絕緣膜。

11.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在襯底上順序地形成半導(dǎo)體層、第一犧牲層、第二犧牲層和第一掩模層；

使用曝光圖案化所述第一掩模層以形成第一掩模圖案；

將所述第一掩模圖案轉(zhuǎn)移到所述第二犧牲層上以形成第二犧牲圖案；

在所述第二犧牲圖案的相反側(cè)上形成間隔物圖案；

形成覆蓋所述間隔物圖案的第二掩模層；

在所述第二掩模層上形成支持圖案，其中所述支持圖案與所述間隔物圖案交疊；

使用曝光圖案化所述第二掩模層以形成第二掩模圖案；

將所述第二掩模圖案和所述間隔物圖案轉(zhuǎn)移到所述第一犧牲層上以形成犧牲柵極圖案和犧牲支持圖案；以及

將所述犧牲柵極圖案和所述犧牲支持圖案轉(zhuǎn)移到所述半導(dǎo)體層上以形成柵極和支持柵極，使得相鄰柵極之間的間距等于所述支持柵極與最相鄰的柵極之間的間距，并且等于所述間隔物圖案的恒定間距。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述半導(dǎo)體層包括柵極層和在所述柵極層上的蓋層。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述柵極層包括多晶硅，并且所述蓋層包括SiN。