[發明專利]一種基板刻蝕裝置及刻蝕方法有效
| 申請號: | 201710426490.5 | 申請日: | 2017-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN107293508B | 公開(公告)日: | 2020-03-10 |
| 發明(設計)人: | 章仟益 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/3213;H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 刻蝕 裝置 方法 | ||
1.一種基板刻蝕裝置,其特征在于,包括:
刻蝕單元,用于對基板表面進行刻蝕處理;
傳感器,所述傳感器通過改變與所述基板的距離檢測所述基板表面不同區域的蝕刻程度,所述傳感器上集成有用于判斷所述傳感器位置的定位裝置;
控制單元,與所述傳感器連接,用于接收所述傳感器發出的信號,并根據接收到的所述基板表面不同區域的刻蝕程度的信號和所述傳感器的位置信號,控制所述刻蝕單元對所述基板表面不同區域的刻蝕速率;
所述基板蝕刻裝置包括至少第一傳感器和第二傳感器,且所述第一傳感器和第二傳感器均為非接觸式電渦流傳感器;
所述第一傳感器用于檢測所述基板表面的中間位置的金屬膜殘存情況;所述第二傳感器用于檢測所述基板表面的邊角位置的金屬膜殘存情況。
2.根據權利要求1所述的基板刻蝕裝置,其特征在于,所述刻蝕單元包括:
刻蝕臺,用于承載基板;
噴淋單元,用于向所述基板表面噴淋刻蝕液。
3.根據權利要求2所述的基板刻蝕裝置,其特征在于,所述刻蝕臺的下方設置有滾輪,所述滾輪連接驅動裝置。
4.根據權利要求2所述的基板刻蝕裝置,其特征在于,所述噴淋單元包括:
儲液桶,用于存儲刻蝕液;
設置在所述刻蝕臺上方的至少兩個噴淋頭,所述噴淋頭與所述儲液桶通過管道連接,所述噴淋頭能夠在所述管道的徑向剖面內擺動;
流量開關,設置在所述管道上,且與所述控制單元連接,用于控制刻蝕液的噴淋流量。
5.根據權利要求1所述的基板刻蝕裝置,其特征在于,所述基板刻蝕裝置還包括顯示單元,所述顯示單元與所述控制單元連接,用于顯示所述基板表面的刻蝕程度。
6.根據權利要求1所述的基板刻蝕裝置,其特征在于,所述金屬膜為鋁膜或銅膜。
7.一種采用權利要求4-6任一項所述的基板刻蝕裝置進行刻蝕的方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、基板進入刻蝕臺,刻蝕液噴淋到所述基板的表面;
S2、所述傳感器通過改變與所述基板的距離檢測所述基板表面不同區域的蝕刻程度,并向所述控制單元發送刻蝕程度信號和所述傳感器的位置信號;
S3、所述控制單元根據接收到的刻蝕程度信號和發出所述刻蝕程度信號的傳感器的位置信號,控制對應所述位置的刻蝕單元調整刻蝕速率。
8.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述步驟S2包括:
所述傳感器通過檢測基板表面的金屬膜殘留情況以判斷基板表面的刻蝕程度,并向所述控制單元發送金屬膜殘留信號和所述傳感器的位置信號。
9.根據權利要求8所述的方法,其特征在于,所述步驟S3包括:
若控制單元接收到金屬膜殘留信號,則根據發送所述金屬膜殘留信號的傳感器的位置控制對應所述位置的流量開關以增大刻蝕液的噴淋流量,或者控制對應所述金屬膜殘留位置的噴淋頭的搖擺速率或搖擺方式以增大刻蝕液的噴淋流量。
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
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H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





