[發明專利]半導體封裝的金屬部分上的金屬可焊性保持涂層有效
| 申請號: | 201710424567.5 | 申請日: | 2010-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN107256832B | 公開(公告)日: | 2020-06-26 |
| 發明(設計)人: | W·本加瓦薩酷爾;T·桑姆拉伯恩皮南;P·查拉帕卡 | 申請(專利權)人: | 聯測總部私人有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/00;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 王茂華;呂世磊 |
| 地址: | 新加坡宏*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 金屬 部分 可焊性 保持 涂層 | ||
1.一種半導體器件陣列,包括:
多個連接體,其中所述多個連接體的界面表面處于所述半導體器件陣列的第一平面表面處并且涂敷有引線精整材料的層;
第一局部切口,垂直于所述第一平面表面并且穿過所述多個連接體的一部分,但未穿過所有所述多個連接體,其中所述多個連接體的所述一部分中的所述連接體的側表面從所述多個連接體的所述一部分中的所述連接體的對應的界面表面延伸;以及
防銹溶液的層,在所述側表面和所述對應的界面表面二者處僅附著至所述多個連接體的所述一部分中的所述連接體。
2.如權利要求1所述的半導體器件陣列,其中防銹溶液是金屬溶液。
3.如權利要求1所述的半導體器件陣列,其中防銹溶液配置用于填充所述側表面中的縫隙。
4.如權利要求1所述的半導體器件陣列,其中防銹溶液配置用于防止金屬氧化。
5.如權利要求2所述的半導體器件陣列,其中所述金屬溶液配置用于保護所述多個連接體不受污染。
6.如權利要求1所述的半導體器件陣列,其中所述引線精整材料的層的厚度為10微米。
7.如權利要求2所述的半導體器件陣列,其中所述防銹溶液是質密的金屬顆粒沉積,其具有大的多邊形晶體結構。
8.如權利要求1所述的半導體器件陣列,其中所述多個連接體在所述多個連接體的表面上具有一致的外貌。
9.如權利要求1所述的半導體器件陣列,其中所述多個連接體的表面是濕表面,以促進所述防銹溶液的同質涂敷。
10.如權利要求1所述的半導體器件陣列,其中所述防銹溶液是錫、銀、金和鎳金之一。
11.一種用于處理半導體器件陣列的系統,包括:
防銹溶液與切削液的混合物,其中所述混合物在鋸切過程期間被噴涂;
分割鋸機器,被配置為執行所述鋸切過程;以及
在所述分割鋸機器中的半導體器件陣列,其中所述半導體器件陣列包括電耦合在一起的多個半導體封裝,其中所述半導體器件陣列還包括:
多個連接體,其中所述多個連接體的界面表面處于所述半導體器件陣列的第一平面表面處并且涂敷有引線精整材料的層;
第一局部切口,垂直于所述第一平面表面并且穿過所述多個連接體的一部分,其中所述多個連接體的所述一部分中的所述連接體的側表面從所述多個連接體的所述一部分中的所述連接體的對應的界面表面延伸;以及
防銹溶液的層,在所述側表面和所述對應的界面表面二者處僅附著至所述多個連接體的所述一部分中的所述連接體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





