[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710423669.5
• 申請日: 2017-06-07
• 公開（公告）號: CN109003935A
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱繼光;桂珞;高劍琴;高漢杰
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L27/12
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一第一半導(dǎo)體襯底，在所述第一半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成一凹槽；

在所述凹槽及所述第一半導(dǎo)體襯底上形成第一絕緣層；

提供一第二半導(dǎo)體襯底，在所述第二半導(dǎo)體襯底上形成第二絕緣層；

將所述第一半導(dǎo)體襯底上形成有所述第一絕緣層的一面與所述第二半導(dǎo)體襯底上形成有所述第二絕緣層的一面進(jìn)行鍵合；

減薄所述第二半導(dǎo)體襯底背向所述第二絕緣層的表面；

刻蝕剩余的第二半導(dǎo)體襯底以形成多個波導(dǎo)層，其中所述凹槽的上方形成有所述波導(dǎo)層。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，形成波導(dǎo)層之后，所述半導(dǎo)體器件的制造方法還包括：在所述第二絕緣層及所述波導(dǎo)層上形成第三絕緣層。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，形成第三絕緣層之后，所述半導(dǎo)體器件的制造方法還包括：在所述第三絕緣層內(nèi)形成一接觸孔，所述接觸孔暴露出所述波導(dǎo)層，并在所述接觸孔內(nèi)填充金屬材料。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，形成所述第二絕緣層之后，所述半導(dǎo)體器件的制造方法還包括：對所述第二半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入，在所述第二半導(dǎo)體襯底內(nèi)部形成離子注入層。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，形成所述離子注入層之后，所述半導(dǎo)體器件的制造方法還包括：對所述第二絕緣層進(jìn)行平坦化處理。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在減薄所述第二半導(dǎo)體襯底背向所述第二絕緣層的表面的步驟中，去除所述離子注入層以及所述離子注入層背向所述第二絕緣層一側(cè)的所述第二半導(dǎo)體襯底。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，減薄所述第二半導(dǎo)體襯底背向所述第二絕緣層的表面之后，所述半導(dǎo)體器件的制造方法還包括：對剩余的第二半導(dǎo)體襯底進(jìn)行平坦化處理。

8.如權(quán)利要求2～7中任一項所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一絕緣層、第二絕緣層與第三絕緣層的材質(zhì)相同。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一絕緣層、第二絕緣層與第三絕緣層均為氧化硅層。

10.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底；

位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的凹槽；

覆蓋所述半導(dǎo)體襯底及所述凹槽的絕緣層；

位于所述絕緣層內(nèi)的多個波導(dǎo)層，其中所述凹槽的上方具有所述波導(dǎo)層。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述絕緣層包括覆蓋所述半導(dǎo)體襯底及所述凹槽的第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的第二絕緣層、以及位于所述第二絕緣層上的第三絕緣層；其中，所述波導(dǎo)層位于所述第二絕緣層之上，所述第三絕緣層覆蓋所述第二絕緣層與所述波導(dǎo)層。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一絕緣層、第二絕緣層與第三絕緣層的材質(zhì)相同。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一絕緣層、第二絕緣層與第三絕緣層均為氧化硅層。

14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括：位于所述第三絕緣層內(nèi)的接觸孔，所述接觸孔延伸至所述波導(dǎo)層，所述接觸孔內(nèi)填充有金屬材料。