[發明專利]銅?鐵普魯士藍納米材料修飾電極、制備方法及其應用

在審

• 申請號: 201710423635.6
• 申請日: 2017-06-07
• 公開（公告）號: CN107328841A
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發明（設計）人: 單丹;田曉旸;張光耀;宗麗萍
• 申請（專利權）人: 南京理工大學
• 主分類號: G01N27/42
• 分類號: G01N27/42
• 代理公司: 南京理工大學專利中心32203
• 代理人: 鄒偉紅,朱顯國

1.一種納米材料銅-鐵普魯士藍納米材料修飾電極，所述修飾電極是以ITO玻璃電極為基底，其特征在于，所述基底表面依次沉積Cu納米粒子和CuHCF納米粒子。

2.如權利要求1所述的修飾電極，其特征在于，由如下步驟制備：

1) 以CuCl₂和KCl混合溶液為電解液，以潔凈的ITO玻璃電極為工作電極，采用電流-時間曲線法進行電化學沉積，20 s后取出沉積Cu納米粒子的ITO玻璃電極，清洗、干燥；

2) 以K₃[Fe(CN)₆]和KCl混合溶液為電解液，以沉積Cu納米粒子的ITO玻璃電極為工作電極，采用電流-時間曲線法進行電化學沉積，10800 s后取出沉積CuHCF的ITO玻璃電極，清洗、干燥。

3.如權利要求2所述的修飾電極，其特征在于，步驟1) 中，CuCl₂和KCl混合溶液中CuCl₂ 和KCl的濃度均為0.1M。

4.如權利要求2所述的修飾電極，其特征在于，步驟1) 中，所述電化學沉積選用三電極體系，以飽和甘汞電極為參比電極，以鉑電極為對電極，電化學沉積的參數如下：初始電流-0.1 V，取樣間隔1 s，實驗時間20 s，靜置時間1 s。

5.如權利要求2所述的修飾電極，其特征在于，步驟2) 中，K₃[Fe(CN)₆]和KCl混合溶液中K₃[Fe(CN)₆]的濃度為10 mM，KCl的濃度為0.1 M。

6.如權利要求2所述的修飾電極，其特征在于，步驟2) 中，所述電化學沉積選用三電極體系，以飽和甘汞電極為參比電極，以鉑電極為對電極，電化學沉積的參數如下：初始電流0.4 V，取樣間隔0.1 s，實驗時間10800 s，靜置時間1 s。

7.如權利要求1-6任一所述的修飾電極的制備方法。

8.如權利要求1-6任一所述的修飾電極在檢測卡托普利上的應用。

9.如權利要求8所述的應用，其特征在于，采用循環伏安法，在-0.3~1.2 V，10 mV/s條件下，檢測所述修飾電極對卡托普利的電化學響應。