[發(fā)明專利]一種利用電容實(shí)現(xiàn)遲滯的RC振蕩電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710422802.5
• 申請日: 2017-06-07
• 公開（公告）號: CN107359862B
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李凱林
• 申請（專利權(quán)）人: 李凱林
• 主分類號: H03B28/00
• 分類號: H03B28/00
• 代理公司: 西安永生專利代理有限責(zé)任公司 61201
• 代理人: 申忠才

一種利用電容實(shí)現(xiàn)遲滯的RC振蕩電路，包括RC振蕩單元和鎖存器單元，所述的振蕩單元的輸出端接鎖存器單元的輸入端；本發(fā)明電路中所提出的RC振蕩電路利用電容引入了遲滯電壓，替代了傳統(tǒng)RC振蕩電路中的遲滯比較器，有效的節(jié)省了版圖的面積；電路中所提出的RC振蕩電路避免了傳統(tǒng)RC振蕩電路通過控制信號來實(shí)現(xiàn)遲滯比較器輸入端電壓的轉(zhuǎn)化，降低了電路的復(fù)雜度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于物理技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及到一種利用電容實(shí)現(xiàn)遲滯的RC振蕩電路。

背景技術(shù)

隨著集成電路和電子技術(shù)的發(fā)展,RC振蕩電路被廣泛的應(yīng)用在模擬電路及數(shù)字電路中，傳統(tǒng)的RC振蕩電路通過比較充放電電容與遲滯比較器的一端輸入電壓來產(chǎn)生相應(yīng)的振蕩信號，該振蕩信號通過整形即為所需的時(shí)鐘信號。但是，這存在兩個(gè)主要的缺點(diǎn)：一方面比較器會(huì)占用較大的面積，另一方面，比較器需要根據(jù)時(shí)鐘信號來確定另一端的輸入電壓，以此實(shí)現(xiàn)遲滯的目的，增加了電路的復(fù)雜度。

仰訊網(wǎng)絡(luò)科技有限公司(天津)在其擁有的專利技術(shù)“一種震蕩電路”(授權(quán)公告號CN204794906U)中公開了一種震蕩電路。該電路能夠產(chǎn)生所需的振蕩信號，但是，該專利技術(shù)仍然存在的不足是：由于該電路中存在電感線圈，會(huì)使得電路的面積較大，不利于電子集成。

楊衛(wèi),魯征浩等在其發(fā)表的會(huì)議論文“基于CMOS工藝高精度RC振蕩電路設(shè)計(jì)”(半導(dǎo)體集成電路，Vol.38No.12)提出了一種高精度RC振蕩電路。該電路包含帶隙基準(zhǔn)、低壓差線性穩(wěn)壓器、充電電流模塊及OSC振蕩模塊。該文章所提出的方法能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的振蕩信號。但是，該技術(shù)仍然存在的不足是：由于OSC振蕩電路中存在兩個(gè)電壓比較器，比較器會(huì)占用較大的面積，增大了芯片的版圖面積。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種設(shè)計(jì)合理、電路簡單、減小了電路面積、高度集成化、具有更高的應(yīng)用性的利用電容實(shí)現(xiàn)遲滯的RC振蕩電路。

解決上述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是：包括RC振蕩單元和鎖存器單元，所述的振蕩單元的輸出端接鎖存器單元的輸入端；

所述的RC振蕩單元為：第一MOS管M1的柵極接時(shí)鐘信號CLK1、漏極接第一電阻R1的一端、源極接地，第一電阻R1的另一端通過第一電阻R3接第三MOS管M3的漏極、通過第二電阻R2接第五MOS管M5的漏極，第三MOS管M3的柵極接偏置電壓V_BIAS、源極接第四MOS管M4的漏極，第四MOS管M4的柵極與第五MOS管M5的柵極連接并接時(shí)鐘信號CLK1和第二電容C2的一端、源極與第五MOS管M5的源極連接并接電源電壓VDD，第二電容C2的另一端接第一電容C1的一端和第一電阻R1的另一端以及第一反相器INV1的輸入端，第一反相器INV1的輸出端接第二反相器INV2的輸入端，第二反相器INV2的輸出端接鎖存器單元，第一電容C1的另一端接地，第二MOS管M2的柵極接使能信號CTL、漏極接第一反相器INV1的輸入端、源極接地；

所述的鎖存器單元為：第一與非門NAND1的一輸入端接第一或非門NOR1的一輸入端、另一輸入端接時(shí)鐘信號CLK1、輸出端接第三反相器INV3的輸入端，第一或非門NOR1的另一輸入端接時(shí)鐘信號CLK2、輸出端接第四反相器INV4的輸入端，第三反相器INV3的輸出端接時(shí)鐘信號CLK2、第四反相器INV4的輸出端接時(shí)鐘信號CLK1。

本發(fā)明的第一MOS管M1、第二MOS管M2均采用N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體管。

本發(fā)明的第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5均采用P型金屬-氧化物-半導(dǎo)體管。

本發(fā)明的電源電壓VDD采用直流電壓。

由于本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)：

1、本發(fā)明電路中所提出的RC振蕩電路利用電容引入了遲滯電壓，替代了傳統(tǒng)RC振蕩電路中的遲滯比較器，有效的節(jié)省了版圖的面積。