[發(fā)明專利]新型的場截止陽極短路型絕緣柵雙極型晶體管在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710421615.5 | 申請日： | 2017-06-07 |
| 公開（公告）號： | CN107134489A | 公開（公告）日： | 2017-09-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孫向東;談益民 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫羅姆半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/739 | 分類號： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 蘇州市中南偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)32257 | 代理人： | 秦昌輝 |
| 地址： | 214000 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 新型 截止 陽極 短路 絕緣 柵雙極型 晶體管 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種新型的場截止陽極短路型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：包括n-型漂移區(qū)，所述n-型漂移區(qū)的下方設(shè)置有n+型場阻止層，所述n+型場阻止層的下方設(shè)置有集電極區(qū)，所述集電極區(qū)包括間隔設(shè)置的n+型集電極區(qū)和p+型集電極區(qū)，所述集電極區(qū)的下方設(shè)置有與集電極區(qū)連接的集電極；
所述n-型漂移區(qū)的上方間隔設(shè)置有基極區(qū)和柵極，所述基極區(qū)包括位于基極區(qū)上部的第一基極區(qū)P++和位于所述第一基極區(qū)P++下方的第二基極區(qū)P-，所述基極區(qū)表面的左右兩側(cè)設(shè)有n+型發(fā)射區(qū)，所述n+型發(fā)射區(qū)和基極區(qū)上方設(shè)有與所述n+型發(fā)射區(qū)連接的發(fā)射極，所述柵極的外側(cè)面上設(shè)置有柵絕緣層。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
