[發(fā)明專利]銀包銅改性的氧化釕厚膜電阻漿料制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710421613.6
• 申請日: 2017-06-07
• 公開（公告）號: CN107230540B
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李智敏;孫鵬;寧濤;張茂林;閆養(yǎng)希;李培咸
• 申請（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類號: H01C7/02
• 分類號: H01C7/02
• 代理公司: 西安弘理專利事務(wù)所 61214
• 代理人: 楊璐

1.銀包銅改性的氧化釕厚膜電阻漿料制備方法，其特征在于，具體按照以下步驟實施：

步驟1、利用RuO₂和銀包銅粉體制備出導(dǎo)電相粉末；

步驟2、利用ZnO、B₂O₃、SiO₂、PbO以及Bi₂O₃制備出改性ZnBSi玻璃相粉末；

步驟3、利用松油醇、纖維素、丁基卡必醇以及蓖麻油制備出有機(jī)載體相；

步驟4、將經(jīng)步驟1得到的導(dǎo)電相粉末、經(jīng)步驟2得到的改性ZnBSi玻璃相粉末以及步驟3得到的有機(jī)載體相混合均勻，得到銀包銅改性的氧化釕厚膜電阻漿料；

所述步驟1具體按照以下步驟實施：

步驟1.1、按質(zhì)量比為4～8：1～7分別稱取RuO₂、銀包銅粉體；

步驟1.2、將步驟1.1中稱取的RuO₂和銀包銅粉體混合在一起，形成混合物料A；

步驟1.3、將經(jīng)步驟1.2得到的混合物料A添加到球磨罐中，并向球磨罐中加入去離子水和磨球，經(jīng)球磨處理后，得到混合物料B；

步驟1.4、經(jīng)步驟1.3后，從球磨罐中取出混合物料B，將混合物料B烘干后粉碎，得到混合物料C；

步驟1.5、將經(jīng)步驟1.4得到的混合物料C裝入坩堝內(nèi)，將該坩堝升溫至800℃～1000℃并保溫5h～8h，待自然冷卻至室溫后，得到導(dǎo)電相粉末；

所述步驟2具體按照以下步驟實施：

步驟2.1、按質(zhì)量百分比分別稱取如下物料：

ZnO40％～49％，B₂O₃21％～34％，SiO₂15％～25％，PbO5％～10％，Bi₂O₃0～5％，以上組分含量總和為100％；

步驟2.2、將步驟2.1中稱取的ZnO、B₂O₃、SiO₂、PbO以及Bi₂O₃混合在一起，形成混合物A；

步驟2.3、將經(jīng)步驟2.2得到的混合物A添加到球磨罐中，并向球磨罐中加入去離子水和磨球，經(jīng)球磨處理后，得到混合物B；

步驟2.4、經(jīng)步驟2.3后，從球磨罐中取出混合物B，將混合物B烘干后粉碎，得到混合物C；

步驟2.5、將經(jīng)步驟2.4得到的混合物C裝入坩堝內(nèi)，將該坩堝升溫至1100℃～1500℃并保溫30min～60min，淬火后將得到物質(zhì)添加到球磨罐中，并向球磨罐中添加去離子水和磨球，經(jīng)球磨處理后，得到改性ZnBSi玻璃相粉末。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀包銅改性的氧化釕厚膜電阻漿料制備方法，其特征在于，所述步驟1.3中：在球磨處理過程中：球磨介質(zhì)-去離子水的用量為每克的待球磨粉料要加入0.6ml～1.2ml的去離子水；磨球采用的是直徑3mm～5mm的氧化鋯球，且球料質(zhì)量比為(1.5～3)：1；轉(zhuǎn)速400rpm～500rpm；球磨時間為4h～6h；

在所述步驟1.4中：烘干的溫度控制為50℃～70℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀包銅改性的氧化釕厚膜電阻漿料制備方法，其特征在于，所述步驟2.3中：在球磨處理過程中：球磨介質(zhì)去離子水的用量為每克的待球磨粉料要加入0.6ml～1.2ml的去離子水；磨球采用的是直徑3mm～5mm的氧化鋯球，且球料質(zhì)量比為(1.5～3)：1；轉(zhuǎn)速400rpm～500rpm；球磨時間為6h～8h。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀包銅改性的氧化釕厚膜電阻漿料制備方法，其特征在于，在所述步驟2.4中：烘干的溫度控制為50℃～70℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀包銅改性的氧化釕厚膜電阻漿料制備方法，其特征在于，所述步驟2.5中：在球磨處理過程中：球磨介質(zhì)去離子水的用量為每克的待球磨粉料要加入0.6ml～1.2ml的去離子水；磨球采用的是直徑3mm～5mm的氧化鋯球，且球料質(zhì)量比為(1.5～3)：1；轉(zhuǎn)速400rpm～500rpm；球磨時間為6h～12h。