[發明專利]一種硝基芳烴類爆炸物的檢測方法

在審

• 申請號: 201710421526.0
• 申請日: 2017-06-07
• 公開（公告）號: CN109001260A
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: 李迎春;張路;劉江;田麗萍
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學深圳研究生院
• 主分類號: G01N27/04
• 分類號: G01N27/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種硝基芳烴類爆炸物的檢測方法，包括以下步驟：

（1）采用濺射的方法在叉指電極表面形成金屬氧化物薄膜，得到半導體氣體傳感器；

（2）采用電聚合的方法在步驟（1）所述傳感器薄膜之上修飾一層分子印跡聚合物膜，之后通過洗脫得到分子印跡聚合膜修飾的半導體氣體傳感器；

（3）將步驟（2）所述傳感器置于空白環境之中進行反應，得到初始電阻值，之后將步驟（2）所述傳感器置于至少5種不同濃度的硝基芳烴類爆炸物環境之中進行反應，得到響應電阻值；

（4）根據初始電阻值和響應電阻值的比值，得到步驟（2）所述傳感器對不同濃度的硝基芳烴類爆炸物的響應強度，進而得到步驟（2）所述傳感器的響應強度與所述不同濃度的硝基芳烴類爆炸物之間的標準曲線；

（5）將步驟（2）所述傳感器置于待測環境中進行反應，得到步驟（2）所述傳感器的實際響應電阻值，然后根據步驟（3）所得初始電阻值，得到步驟（2）所述傳感器對于待測環境的響應強度，之后根據所述的響應強度與所述不同濃度的硝基芳烴類爆炸物之間的標準曲線即得待測環境中硝基芳烴類爆炸物的濃度。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟（1）中，所述金屬氧化物為γ-Fe₂O₃、SnO₂、ZnO、TiO₂或者In₂O₃，其粒徑范圍是10nm~10μm。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟（1）和（2）中，所述半導體膜厚度范圍是20nm~50μm，分子印跡聚合膜厚度范圍是10nm~1μm。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟（2）中，所述電聚合采用的是循環伏安法，功能單體是間苯二酚，模板分子是三氨基三硝基苯，間苯二酚的濃度范圍是3×10^-5~3×10^-2 mol/L，三氨基三硝基苯的濃度范圍是1×10^-5~1×10^-2 mol/L，溶劑是磷酸鹽緩沖液，聚合的電勢窗口為0.0~0.8V，掃描圈數范圍是50~300圈。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟（2）中，所述的洗脫采用的是循環伏安法，洗脫液為NaOH水溶液，其濃度范圍為0.1~0.8mol/L，洗脫的電勢窗口為-0.5~0.5V，掃描圈數范圍是10~50圈。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟（3）、（4）和（5）中，所述硝基芳烴類爆炸物為三氨基三硝基苯、2,4,6-三硝基甲苯、2,4-二硝基甲苯、對硝基甲苯和2,4,6-三硝基苯酚。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟（3）和（5）中，所述反應的時間范圍是0.5min~120min，反應的溫度范圍是200~450℃。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟（3）和（5）中，所述的空白環境和待測環境中氧氣的體積分數的范圍是15%~25%。