[發(fā)明專利]利用光子輔助等離子體工藝改善線邊緣粗糙度

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710421130.6
• 申請(qǐng)日: 2017-06-07
• 公開（公告）號(hào): CN107492512B
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 譚忠魁;徐晴;傅乾;桑軍·帕克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻(xiàn)忠;張華

本發(fā)明涉及利用光子輔助等離子體工藝改善線邊緣粗糙度。提供了一種用于處理具有工藝層的襯底的光子輔助等離子體處理方法。工藝氣體流入室。所述工藝氣體形成等離子體。所述工藝層暴露于所述等離子體。用波長(zhǎng)介于200nm和1微米之間的光照射所述工藝層，同時(shí)將所述襯底暴露于所述等離子體。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體晶片上形成半導(dǎo)體器件的方法。更具體地，本公開涉及在半導(dǎo)體器件的形成中蝕刻層。

背景技術(shù)

在形成半導(dǎo)體器件中，蝕刻層可以被蝕刻。

發(fā)明內(nèi)容

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，并且根據(jù)本公開的目的，提供了一種用于改善具有工藝層的襯底的線邊緣粗糙度或線寬粗糙度的光子輔助等離子體處理方法。使工藝氣體流入室。所述工藝氣體形成等離子體。將所述工藝層暴露于所述等離子體。用波長(zhǎng)介于200nm和1微米之間的光照射所述工藝層，同時(shí)將所述襯底暴露于所述等離子體。

在另一個(gè)表現(xiàn)形式中，提供了一種用于處理襯底的裝置。用于支撐所述襯底的襯底支撐件位于處理室內(nèi)。氣體入口將氣體提供到所述處理室中。氣體入口連接在氣體源和所述處理室之間。至少一個(gè)電極與所述處理室相鄰并且電連接到電源。漫射光源照射所述襯底中蝕刻特征的側(cè)壁。控制器可控地連接到所述電源、氣體源和所述光源。

具體而言，本發(fā)明的一些方面可以闡述如下：

1.一種用于改善具有工藝層的襯底的線邊緣粗糙度或線寬粗糙度的光子輔助等離子體處理方法，其包括：

使工藝氣體流入室；

使所述工藝氣體形成等離子體；

將所述工藝層暴露于所述等離子體；以及

用波長(zhǎng)介于200nm和1微米之間的光照射所述工藝層，同時(shí)將所述襯底暴露于所述等離子體。

2.根據(jù)條款1所述的方法，其中所述工藝層是在圖案化掩模下面的蝕刻層，其中所述將所述工藝層暴露于所述等離子體在所述蝕刻層中蝕刻具有側(cè)壁的特征，并且其中所述照射所述工藝層照射所述特征的所述側(cè)壁。

3.根據(jù)條款2所述的方法，其中所述圖案化掩模是多重圖案化掩模。

4.根據(jù)條款3所述的方法，其中所述光由漫射光源提供。

5.根據(jù)條款4所述的方法，其中所述蝕刻層包括碳、SiN、硅或SiO中的至少一種。

6.根據(jù)條款5所述的方法，其中所述圖案化掩模包括光致抗蝕劑、SiO、SiN、SiON、Si或碳中的至少一種，并且其中相對(duì)于所述圖案化掩模選擇性地蝕刻所述蝕刻層。

7.根據(jù)條款6所述的方法，其中所述工藝氣體是包含含鹵素組分的蝕刻氣體，其使得能夠蝕刻所述工藝層。

8.根據(jù)條款7所述的方法，其中所述漫射光源在所述特征的所述側(cè)壁的至少50％上提供強(qiáng)度為至少1000W/m²的光。

9.根據(jù)條款2所述的方法，其中所述蝕刻層包括碳、SiN、硅或SiO中的至少一種。

10.根據(jù)條款2所述的方法，其中所述圖案化掩模包括光致抗蝕劑、SiO、SiN、SiON、Si或碳中的至少一種，并且其中相對(duì)于所述圖案化掩模選擇性地蝕刻所述蝕刻層。

11.根據(jù)條款2所述的方法，其中所述工藝氣體是包含含鹵素組分的蝕刻氣體，其使得能夠蝕刻所述工藝層。

12.根據(jù)條款1所述的方法，其中所述光由漫射光源提供。

13.根據(jù)條款1所述的方法，其中所述漫射光源在所述特征的所述側(cè)壁的至少50％上提供強(qiáng)度為至少1000W/m²的光。