[發(fā)明專利]檢測晶圓缺陷的裝置及方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710419817.6
• 申請日: 2017-06-06
• 公開（公告）號: CN107144574A
• 公開（公告）日: 2017-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李秀山;朱建華;黃寒寒;施威;周文龍
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳振華富電子有限公司;中國振華（集團）科技股份有限公司
• 主分類號: G01N21/88
• 分類號: G01N21/88;G01N21/95;G01N21/66
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 王寧

1.一種檢測晶圓缺陷的裝置；其特征在于，包括：

P面電極，所述P面電極用于設(shè)置在所述晶圓的P面表面，作為正極端；

透明導(dǎo)電薄膜，所述透明導(dǎo)電薄膜用于設(shè)置在晶圓的N面表面，作為負極端；

電源，所述電源分別與所述正極端和負極端連接；所述電源通過所述正極端和所述負極端給所述晶圓通電，以使得所述晶圓發(fā)光；

圖像采集系統(tǒng)，所述圖像采集系統(tǒng)位于所述透明導(dǎo)電薄膜的遠離所述晶圓的一側(cè)；所述圖像采集系統(tǒng)用于接收所述晶圓發(fā)出的光場以采集所述晶圓的有源區(qū)圖像；

缺陷鑒別模塊，所述缺陷鑒別模塊用于獲取所述晶圓在磨拋工藝之前有源區(qū)圖像，并與所述圖像采集系統(tǒng)采集的有源區(qū)圖像進行對比，以識別出磨拋工藝引入的有源區(qū)缺陷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述晶圓為半導(dǎo)體激光器晶圓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述圖像采集系統(tǒng)包括成像系統(tǒng)和CCD圖像傳感器；所述成像系統(tǒng)用于放大所述晶圓發(fā)出的光場，以增強所述圖像采集系統(tǒng)采集到的圖像的分辨率；所述CCD圖像傳感器用于將采集到的所述光場進行成像處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，還包括機械系統(tǒng)；所述機械系統(tǒng)用于控制所述圖像采集系統(tǒng)對所述晶圓進行逐點掃描。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述P面電極為金屬電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述透明導(dǎo)電薄膜包括石墨烯導(dǎo)電薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述透明導(dǎo)電薄膜的面積大于或等于所述晶圓N面的面積。

8.一種檢測晶圓缺陷的方法，其特征在于，包括：

在所述晶圓的N型襯底表面粘附透明導(dǎo)電薄膜，以作為負極端；

將所述晶圓的P面連接P面電極，以作為正極端；

將電流通過所述P面電極從所述晶圓的P面注入，通過所述N型襯底和所述透明導(dǎo)電薄膜后引出；

采集所述晶圓有源區(qū)的光場分布；

根據(jù)所述晶圓有源區(qū)的光場分布判斷所述晶圓在磨拋工藝中引入有源區(qū)的缺陷。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述采集所述晶圓有源區(qū)的光場分布的步驟是通過置于所述晶圓的N面?zhèn)鹊膱D像采集系統(tǒng)采集所述晶圓有源區(qū)的輻射光。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述晶圓有源區(qū)的光場分布判斷所述晶圓在磨拋工藝中引入有源區(qū)的缺陷步驟包括：

將所述晶圓有源區(qū)的光場分布與進行磨拋工藝之前的晶圓有源區(qū)的光場分布進行比對，以判斷所述晶圓在磨拋工藝中引入有源區(qū)的缺陷。