[發明專利]一種藍寶石襯底制備工藝在審
| 申請號: | 201710418780.5 | 申請日: | 2017-06-06 |
| 公開(公告)號: | CN107268081A | 公開(公告)日: | 2017-10-20 |
| 發明(設計)人: | 李順利 | 申請(專利權)人: | 界首市七曜新能源有限公司 |
| 主分類號: | C30B29/20 | 分類號: | C30B29/20;C30B15/00;C30B15/14 |
| 代理公司: | 安徽信拓律師事務所34117 | 代理人: | 張加寬 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 藍寶石 襯底 制備 工藝 | ||
技術領域
本發明涉及半導體技術領域,具體涉及一種藍寶石襯底制備工藝。
背景技術
藍寶石硬度高、熔點高、透光性好,化學性能穩定,廣泛應用于機械、光學、信息等高技術領域。
通常,GaN基材料和器件的外延層主要生長在藍寶石襯底上。藍寶石襯底有許多的優點:首先,藍寶石襯底的生產技術相對成熟、器件質量較好;其次,藍寶石的穩定性很好,能夠運用在高溫生長過程中;最后,藍寶石的機械強度高,易于處理和清洗。因此,大多數工藝一般都以藍寶石作為襯底。
氮化鎵外延片是指在一定條件下,將氮化鎵材料分子有規則排列定向生長在藍寶石襯底上。隨著氮化鎵外延片由二寸向四寸、六寸以及更大尺寸方向發展,利用長晶爐生長出的藍寶石襯底在外延爐生長過程中由于受熱不均、反復經受高低溫度變化,極易發生裂片,造成產品良率低。
發明內容
本發明為解決上述問題,提供一種缺陷少、結晶質量高的藍寶石襯底制備工藝。
本發明所要解決的技術問題采用以下的技術方案來實現:
一種藍寶石襯底制備工藝,包括以下步驟:
(1)加料:將經過提純的藍寶石原料經高溫處理后用去離子水清洗,然后烘干放入長晶爐內;
(2)熔化:關閉長晶爐并抽成真空后充入高純氦氣進行保壓,然后打開鎢絲加熱器電源,加熱至一次預設溫度,然后降至室溫,再次加熱至二次預設溫度,降至室溫,將長晶爐抽成真空,再次將氦氣充入長晶爐,加熱至熔化溫度以上,將藍寶石原料熔化,得藍寶石熔體;
(3)縮頸生長:當藍寶石熔體的溫度穩定之后,將籽晶慢慢浸入藍寶石熔體中,縮頸生長時將籽晶快速向上提升,使長出的籽晶的直徑縮小;
(4)放肩生長:縮頸生長完成后,降低溫度與拉速,使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小;
(5)等徑生長:放肩生長結束,借著拉速與溫度的不斷調整,使晶棒直徑維持在一固定值生長;
(6)尾部生長:等徑生長結束,將晶棒的直徑慢慢縮小,直到成一尖點而與藍寶石熔體液面分開,長完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時間后取出。
所述步驟(1)中高溫處理控制溫度在1100~1200℃。
所述步驟(2)中一次預設溫度1200~1250℃。
所述步驟(2)中加熱至一次預設溫度后,降至室溫時降溫速率為50℃/min。
所述步驟(2)中二次預設溫度1800~1850℃。
所述步驟(2)中加熱至二次預設溫度后,降至室溫時降溫速率為100℃/min。
所述步驟(2)中融化溫度至少在2050℃以上。
所述步驟(3)中籽晶的直徑縮小至5~8mm。
所述步驟(5)中等徑生長時控制直徑為二寸、四寸、六寸或八寸。
所述步驟(5)中等徑生長時晶棒直徑在固定值正、負2mm之間波動。
本發明的有益效果為:將藍寶石原料送入長晶爐前進行高溫處理,釋放藍寶石原料內部應力,減少長晶時產生的位錯,改善結晶質量;用去離子水進行清洗去除藍寶石原料表面附著的各種離子,避免雜質混入晶棒內;熔化時通過兩次升溫、降溫最后再升至熔化溫度以上,減少藍寶石襯底受熱時內部熱應變,進而避免裂片,同時提高高溫條件下的熱導率(外延爐中生長外延層時,最高溫度可達到1300℃),使藍寶石襯底自身受熱更為均勻;本發明制得的藍寶石襯底內部缺陷少,結晶質量高,適合制作大尺寸外延片,能夠有效的避免裂片的發生。
具體實施方式
為了使本發明實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解,下面結合實施例,進一步闡述本發明。
實施例1
一種藍寶石襯底制備工藝,包括以下步驟:
(1)加料:將藍寶石原料經1100℃高溫處理后,用去離子水清洗,然后烘干放入長晶爐內;
(2)熔化:關閉長晶爐并抽成真空后充入高純氦氣進行保壓,然后打開鎢絲加熱器電源,加熱至1200℃,然后以50℃/min速率降至室溫,再次加熱至1800℃,以100℃/min速率降至室溫,將長晶爐抽成真空,再次將氦氣充入長晶爐,加熱至熔化溫度2050℃以上,將藍寶石原料熔化,得藍寶石熔體;
(3)縮頸生長:當藍寶石熔體的溫度穩定之后,將籽晶慢慢浸入藍寶石熔體中,由于籽晶與藍寶石熔體接觸時的熱應力,會使籽晶產生位錯,這些位錯必須利用縮頸生長使之消失掉,縮頸生長時將籽晶快速向上提升,使長出的籽晶的直徑縮小至5mm,由于位錯線與生長軸成一個交角,只要縮頸夠長,位錯便能長出晶體表面,產生零位錯的晶體;
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