[發(fā)明專(zhuān)利]單晶硅太陽(yáng)能板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710418324.0
• 申請(qǐng)日: 2017-06-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107240612B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李順利
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 界首市七曜新能源有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/0216
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/0216;H01L31/048;C03C3/062;C03C3/078;C08L23/08;C08L1/14;C08L25/06;C08L89/00;C08L67/00;C08L33/08;C08L27/06;C08L61/06;C08L23/20
• 代理公司: 合肥中博知信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34142
• 代理人: 徐俊杰

一種單晶硅太陽(yáng)能板，所述單晶硅太陽(yáng)能板從上至下分別由鋼化玻璃、EVA、減反射膜、太陽(yáng)能電池板芯片組成，所述太陽(yáng)能電池板芯片與所述減反射膜接觸面上蒸鍍有緩沖層。本發(fā)明通過(guò)蒸鍍一層緩沖層(氮化鎵)，減少氮化硅與單晶硅之間的晶格失配，提高太陽(yáng)能電池板芯片的吸光量，同時(shí)氮化鎵薄層本身就是很好的透光材料，不會(huì)影響到太陽(yáng)光的入射；制得的單晶硅太陽(yáng)能板光電轉(zhuǎn)換效率可達(dá)到26％以上，使用15～20年依然保持較高的光電轉(zhuǎn)化效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽(yáng)能技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種單晶硅太陽(yáng)能板。

背景技術(shù)

單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處于新材料發(fā)展的前沿。其主要用途是用作半導(dǎo)體材料和利用太陽(yáng)能光伏發(fā)電、供熱等。由于太陽(yáng)能具有清潔、環(huán)保、方便等諸多優(yōu)勢(shì)，近三十年來(lái)，太陽(yáng)能利用技術(shù)在研究開(kāi)發(fā)、商業(yè)化生產(chǎn)、市場(chǎng)開(kāi)拓方面都獲得了長(zhǎng)足發(fā)展，成為世界快速、穩(wěn)定發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)之一。

單晶硅可以用于二極管級(jí)、整流器件級(jí)、電路級(jí)以及太陽(yáng)能電池級(jí)單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造，其后續(xù)產(chǎn)品集成電路和半導(dǎo)體分離器件已廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，在軍事電子設(shè)備中也占有重要地位。

在光伏技術(shù)和微小型半導(dǎo)體逆變器技術(shù)飛速發(fā)展的今天，利用硅單晶所生產(chǎn)的太陽(yáng)能電池可以直接把太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為光能，實(shí)現(xiàn)了邁向綠色能源革命的開(kāi)始。北京2008年奧運(yùn)會(huì)將把綠色奧運(yùn)做為重要展示面向全世界展現(xiàn)，單晶硅的利用在其中將是非常重要的一環(huán)。現(xiàn)在，國(guó)外的太陽(yáng)能光伏電站已經(jīng)到了理論成熟階段，正在向?qū)嶋H應(yīng)用階段過(guò)渡，太陽(yáng)能硅單晶的利用將是普及到全世界范圍，市場(chǎng)需求量不言而喻。

目前單晶硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率為18％左右，最高的達(dá)到24％，如何進(jìn)一步提高單晶硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化效率是擺在研發(fā)人員面前迫切需要解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明為解決上述問(wèn)題，提供一種光電轉(zhuǎn)換效率高、使用壽命長(zhǎng)的單晶硅太陽(yáng)能板。

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)：

一種單晶硅太陽(yáng)能板，所述單晶硅太陽(yáng)能板從上至下分別由鋼化玻璃、EVA、減反射膜、太陽(yáng)能電池板芯片組成。

所述太陽(yáng)能電池板芯片與所述減反射膜接觸面上蒸鍍有緩沖層。

所述緩沖層為氮化鎵層。

所述氮化鎵層厚度為10～12nm。

所述氮化鎵層通過(guò)化學(xué)氣相沉積蒸鍍?cè)谒鎏?yáng)能電池板芯片上。

所述減反射膜為氮化硅。

所述氮化硅厚度為50～70nm。

所述鋼化玻璃包括以下重量份的原料：

二氧化硅30-50份，珠光粉0.2-0.6份，氧化鋯0.1-0.3份，碳酸鈉5-8份，硅酸鈣2-4份，銀粉0.2-0.8份，二氧化錳0.3-0.5份，二氧化鈦0.5-0.8份，氧化鐵0.1-0.3份，氮化鎵0.2-0.5份，氧化鋅0.5-0.8份，氧化鎳0.3-0.7份。

所述EVA由以下重量份的原料組成：

乙烯20-30份，醋酸乙烯脂20-25份，醋酸-丙酸纖維素1.0-1.5份，氯化聚乙烯1.2-1.8份，酪蛋白0.3-0.5份，發(fā)泡聚苯乙烯0.6-0.8份，聚芳酯1.5-2.0份，聚丙烯酸丁酯0.2-0.4份，聚氯乙烯0.6-1.0份發(fā)，酚醛樹(shù)脂0.3-0.7份，聚異丁烯0.5-0.8份。