[發(fā)明專利]多晶硅太陽(yáng)能板在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710418322.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107275417A | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-10-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李順利 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 界首市七曜新能源有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0216 | 分類號(hào): | H01L31/0216;H01L31/042 |
| 代理公司: | 安徽信拓律師事務(wù)所34117 | 代理人: | 張加寬 |
| 地址: | 236500 安徽*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多晶 太陽(yáng)能 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種多晶硅太陽(yáng)能板。
背景技術(shù)
多晶硅太陽(yáng)能電池的制作工藝與單晶硅太陽(yáng)能電池差不多,但是多晶硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率則要降低不少,其光電轉(zhuǎn)換效率約12%左右(2004年7月1日日本夏普上市效率為14.8%的世界最高效率多晶硅太陽(yáng)能電池)。從制作成本上來(lái)講,比單晶硅太陽(yáng)能電池要便宜一些,材料制造簡(jiǎn)便,節(jié)約電耗,總的生產(chǎn)成本較低,因此得到大量發(fā)展。此外,多晶硅太陽(yáng)能電池的使用壽命也要比單晶硅太陽(yáng)能電池短。因而如何提高多晶硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率和延長(zhǎng)其使用壽命成本迫切需要解決的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決上述問(wèn)題,提供一種光電轉(zhuǎn)換效率高、使用壽命長(zhǎng)的多晶硅太陽(yáng)能板。
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):
一種多晶硅太陽(yáng)能板,所述多晶硅太陽(yáng)能板從上至下分別由白玻璃、EVA、減反射層、太陽(yáng)能電池板芯片組成。
所述太陽(yáng)能電池板芯片與所述減反射層接觸面上蒸鍍有緩沖層。
所述緩沖層為碳化硅層。
所述碳化硅層厚度為10~15nm。
所述碳化硅層通過(guò)化學(xué)氣相沉積蒸鍍?cè)谒鎏?yáng)能電池板芯片上。
所述減反射層為二氧化硅層。
所述二氧化硅層厚度為60~80nm。
所述白玻璃包括以下重量份的原料:
二氧化硅30-50份,珠光粉0.2-0.6份,氧化鋯0.1-0.3份,碳酸鈉5-8份,硅酸鈣2-4份,銀粉0.2-0.8份,二氧化錳0.3-0.5份,二氧化鈦0.5-0.8份,氧化鐵0.1-0.3份,氮化鎵0.2-0.5份,氧化鋅0.5-0.8份,氧化鎳0.3-0.7份。
所述EVA由以下重量份的原料組成:
乙烯20-30份,醋酸乙烯脂20-25份,醋酸-丙酸纖維素1.0-1.5份,氯化聚乙烯1.2-1.8份,酪蛋白0.3-0.5份,發(fā)泡聚苯乙烯0.6-0.8份,聚芳酯1.5-2.0份,聚丙烯酸丁酯0.2-0.4份,聚氯乙烯0.6-1.0份發(fā),酚醛樹(shù)脂0.3-0.7份,聚異丁烯0.5-0.8份。
本發(fā)明的有益效果為:多晶硅組成的太陽(yáng)能電池板芯片在其表面直接蒸鍍減反射層,特別是當(dāng)減反射層為二氧化硅時(shí),由于多晶硅中硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒,難以與二氧化硅原子結(jié)合,使得減反射層不能很好的與多晶硅接觸面融合,造成減反射層與多晶硅的不匹配,通過(guò)蒸鍍緩沖層,將多晶硅中取向不同的晶粒與二氧化硅原子匹配,減少接觸面產(chǎn)生的應(yīng)力,更為充分的發(fā)揮減反射層作用,使得光線入射至太陽(yáng)能電池板芯片;白玻璃中添加珠光粉、氧化鋯、碳酸鈉等添加劑,使得白玻璃透光率更高,同時(shí)增強(qiáng)白玻璃抗腐蝕、耐油污能力,延長(zhǎng)使用壽命;本發(fā)明提供的EVA配方,制得的EVA抗拉強(qiáng)度大于35MPa,可見(jiàn)光透射率在98%以上,粘接輕度在3~5kg/cm,同時(shí)具有較好的耐熱、耐濕性,抗沖擊性能好;本發(fā)明制得的多晶硅太陽(yáng)能板光電轉(zhuǎn)換效率可達(dá)到20%以上,使用15~20年依然保持較高的光電轉(zhuǎn)化效率。
具體實(shí)施方式
為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解,下面結(jié)合實(shí)施例,進(jìn)一步闡述本發(fā)明。
實(shí)施例1
一種多晶硅太陽(yáng)能板,所述多晶硅太陽(yáng)能板從上至下分別由白玻璃、EVA、減反射層、太陽(yáng)能電池板芯片組成。
所述太陽(yáng)能電池板芯片與所述減反射層接觸面上蒸鍍有緩沖層。
所述緩沖層為碳化硅層。
所述碳化硅層厚度為10nm。
所述碳化硅層通過(guò)化學(xué)氣相沉積蒸鍍?cè)谒鎏?yáng)能電池板芯片上。
所述減反射層為二氧化硅層。
所述二氧化硅層厚度為60nm。
所述白玻璃包括以下重量份的原料:
二氧化硅30份,珠光粉0.2份,氧化鋯0.1份,碳酸鈉5份,硅酸鈣2份,銀粉0.2份,二氧化錳0.3份,二氧化鈦0.5份,氧化鐵0.1份,氮化鎵0.2份,氧化鋅0.5份,氧化鎳0.3份。
所述EVA由以下重量份的原料組成:
乙烯20份,醋酸乙烯脂20份,醋酸-丙酸纖維素1.0份,氯化聚乙烯1.2份,酪蛋白0.3份,發(fā)泡聚苯乙烯0.6份,聚芳酯1.5份,聚丙烯酸丁酯0.2份,聚氯乙烯0.6份發(fā),酚醛樹(shù)脂0.3份,聚異丁烯0.5份。
實(shí)施例2
一種多晶硅太陽(yáng)能板,所述多晶硅太陽(yáng)能板從上至下分別由白玻璃、EVA、減反射層、太陽(yáng)能電池板芯片組成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





