[發明專利]一種用于顯示裝置的過孔成形方法有效
| 申請號: | 201710417095.0 | 申請日: | 2017-06-06 |
| 公開(公告)號: | CN107170787B | 公開(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發明(設計)人: | 李唐求;趙瑜 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/768 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人: | 孫偉峰 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 顯示裝置 成形 方法 | ||
1.一種用于顯示裝置的過孔成形方法,所述方法包括以下步驟:
1)對需成形的至少兩個過孔的預計成形位置進行一次加工;
2)對未成形的至少一個過孔的預計成形位置進行一次加工,完全成形至少一個過孔;
3)重復步驟2),直至所有過孔都完全成形;
其中,深度相同的過孔視為一個過孔;
其中,在預計形成過孔的位置中,其中一個位置的待加工深度等于至少兩個剩余位置的待加工深度之和,則加工該位置的步驟與加工所述剩余位置的步驟同時進行,且每一次的加工深度等于剩余位置中的其中一個位置的待加工深度。
2.根據權利要求1所述的用于顯示裝置的過孔成形方法,其特征在于,所述成形工藝為成膜與光刻工藝。
3.根據權利要求1所述的用于顯示裝置的過孔成形方法,其特征在于,在預計形成過孔的位置中最深的待加工深度等于剩余位置的待加工深度之和,則在剩余加工過程中,每一次的加工深度等于剩余位置中的其中一個位置的待加工深度。
4.根據權利要求1至3任一項所述的用于顯示裝置的過孔成形方法,其特征在于,所述方法應用于薄膜晶體管層的過孔成形。
5.根據權利要求4所述的用于顯示裝置的過孔成形方法,其特征在于,所述方法在步驟1)之前還包括沉膜無機層步驟。
6.根據權利要求4所述的用于顯示裝置的過孔成形方法,其特征在于,所述方法在步驟3)之后還包括有機層成形步驟。
7.根據權利要求5所述的用于顯示裝置的過孔成形方法,其特征在于,所述方法應用于柔性有機發光二極管平板的生產中。
8.根據權利要求5所述的用于顯示裝置的過孔成形方法,其特征在于,所述方法的實施對象為薄膜晶體管層上的絕緣層、像素電極層和/或低溫多晶硅層。
9.根據權利要求8所述的用于顯示裝置的過孔成形方法,其特征在于,所述絕緣層包括無機絕緣層、有機絕緣層和/或柵極絕緣層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





