[發明專利]一種室外配電電纜低壓派接箱保護殼體及其制備方法

有效

• 申請號: 201710416917.3
• 申請日: 2017-06-06
• 公開（公告）號: CN107254660B
• 公開（公告）日: 2019-08-23
• 發明（設計）人: 于源;張東;劉寶貴;谷彩連;曹福毅;尹常永;衣云龍;王黎明;李豐鵬;孟垂懿;黃碩;杜士鵬
• 申請（專利權）人: 沈陽工程學院
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/08;C23C14/35;H02B1/46
• 代理公司: 沈陽銘揚聯創知識產權代理事務所(普通合伙) 21241
• 代理人: 趙艷

1.一種室外配電電纜低壓派接箱保護殼體的制備方法，其特征在于，該方法包括如下的步驟：

(1)室外配電電纜低壓派接箱保護殼體擦拭干凈后，氮氣吹干；

(2)在室外配電電纜低壓派接箱保護殼體表面沉積制備TiSiN/MgO雙層保護薄膜：取步驟1)室外配電電纜低壓派接箱保護殼體在其表面沉積制備MgO保護薄膜，在MgO保護薄膜的基礎上沉積制備TiSiN保護薄膜；最終得到具有TiSiN/MgO雙層保護薄膜的室外配電電纜低壓派接箱保護殼體。

2.根據權利要求1所述一種室外配電電纜低壓派接箱保護殼體的制備方法，其特征在于，所述制備MgO保護薄膜，采用磁控濺射設備沉積制備MgO保護薄膜，其反應條件和實驗參數為：以高純度MgO作為濺射靶材，通入高純度氧氣，抽真空到10^-3pa～10^-4pa之間，氧氣流量為60～120sccm，氬氣流量為30～60sccm，氧氣與氬氣流量為2：1，濺射時間20min～80min,溫度50～80℃，得到MgO保護薄膜。

3.根據權利要求1所述一種室外配電電纜低壓派接箱保護殼體的制備方法，其特征在于，所述制備TiSiN保護薄膜，在MgO保護薄膜的基礎上制備TiSiN保護薄膜；其反應條件和實驗參數為：以高純Ti和高純Si為濺射靶材，抽真空到10^-3pa～10^-4pa之間，氮氣流量60sccm～200sccm，氬氣流量為30～40sccm，氮氣與氬氣流量比例為N₂:Ar＝2：1～5：1，噴涂時間10min～60min,溫度30～60℃，得到TiSiN保護薄膜。

4.根據權利要求1所述一種室外配電電纜低壓派接箱保護殼體的制備方法，其特征在于，MgO保護薄膜的厚度為300nm～500nm，TiSiN保護薄膜的厚度為為400nm～800nm。