[發(fā)明專利]一種集成欠壓鎖定功能的功耗可調(diào)低壓差線性穩(wěn)壓器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710416741.1 | 申請日: | 2017-06-06 |
| 公開(公告)號: | CN107102679A | 公開(公告)日: | 2017-08-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 朱宇璋;李威 | 申請(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號: | G05F1/575 | 分類號: | G05F1/575 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 集成 鎖定 功能 功耗 可調(diào) 低壓 線性 穩(wěn)壓器 | ||
1.一種集成欠壓鎖定功能的功耗可調(diào)線性穩(wěn)壓器,其特征在于,將低壓差線性穩(wěn)壓器與欠壓鎖定電路進行集成化設(shè)計,并對低壓差線性穩(wěn)壓器進行功耗上的優(yōu)化,包括:功耗可調(diào)的線性穩(wěn)壓器電路和具有遲滯的欠壓鎖定電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種集成欠壓鎖定功能的功耗可調(diào)線性穩(wěn)壓器,其特征在于,所述功耗可調(diào)線性穩(wěn)壓器包括:PMOS管M1、M2,M1、M2柵極相連,源極接Vin;M1柵漏短接;NMOS管M3柵接Vref,漏端接M1漏極,源極接NMOS管M4源極;M4柵極接分壓網(wǎng)絡(luò)NMOS管M11的源極與M12的漏極;M11、M12分別柵漏短接,M11源極接M12漏極;NMOS管M5漏極接M3源極,柵極接睡眠控制信號CTRL,源極接M6漏極;NMOS管M6、M7柵極相接,源極都分別接地,M7漏極與M4源極相連;NPN管Q2管基極接M2漏極,集電極接Vin,發(fā)射極接M11漏極,此處輸出VDD。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種集成欠壓鎖定功能的功耗可調(diào)線性穩(wěn)壓器,其特征在于,所述具有遲滯的欠壓鎖定電路包括:PNP管Q1,其發(fā)射極接Q2管基極,即Vb電位處,基極接M1管漏極,即Va電位處,集電極接NMOS管M8漏極、NMOS管M10的漏極及反相器I1的輸入端,即Vc電位處;M8柵極接反相器I1的輸出端與與非門I3的輸入端,即Vd電位處,源極接M9的漏極,與NMOS管M9、M10共同構(gòu)成遲滯區(qū)間引入電路;M9、M10源極分別接地,柵極相接,與M6、M7共同使用BIAS電壓進行偏置;PMOS管M13,其源極接輸入電壓Vin,柵極接偏置電壓BIAS1,漏極接M14漏極與反相器I2的輸入端,即Ve電位處;NMOS管M14柵極接Q2發(fā)射極,即VDD電位處,源極接地;與非門I3輸入級分別接反相器I2的輸出與反相器I1的輸出,輸出級產(chǎn)生UVLO控制信號。
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