[發明專利]一種PERC電池背面鈍化工藝在審
| 申請號: | 201710416638.7 | 申請日: | 2017-06-06 |
| 公開(公告)號: | CN106992229A | 公開(公告)日: | 2017-07-28 |
| 發明(設計)人: | 閆濤;張冠綸;吳俊旻;常青;扈靜 | 申請(專利權)人: | 通威太陽能(合肥)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 昆明合眾智信知識產權事務所53113 | 代理人: | 張璽 |
| 地址: | 230088 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 perc 電池 背面 鈍化 工藝 | ||
1.一種PERC電池背面鈍化工藝,其特征在于,包括制絨,擴散,刻蝕和背面拋光,之后熱風烘干硅片,將硅片180°翻轉使硅片背面向上,臭氧處理使背面形成SiO2膜,正面氧化處理,背面鍍鈍化膜,正面鍍鈍化膜;所述正面氧化處理為退火處理熱氧化方法形成SiO2膜。
2.根據權利要求1所述的一種PERC電池背面鈍化工藝,其特征在于,所述將硅片180°翻轉采用翻片機。
3.根據權利要求1所述的一種PERC電池背面鈍化工藝,其特征在于,所述臭氧處理使背面形成SiO2膜,采用臭氧機,使硅片背面向上經過臭氧機時形成SiO2膜。
4.根據權利要求1所述的一種PERC電池背面鈍化工藝,其特征在于,所述背面形成SiO2膜的厚度為1-5nm。
5.根據權利要求1或4所述的一種PERC電池背面鈍化工藝,其特征在于,所述正面形成的SiO2膜的厚度為2-15nm。
6.根據權利要求5所述的一種PERC電池背面鈍化工藝,其特征在于,所述正面形成的SiO2膜的厚度為2-8nm。
7.根據權利要求1所述的一種PERC電池背面鈍化工藝,其特征在于,所述背面鍍的鈍化膜為Al2O3/SiNX復合層,所述正面鍍的鈍化膜為SiNX層。
8.一種PERC電池制備方法,其特征在于,包括權利要求1~7中任一項所述的PERC背面鈍化工藝方法,并激光開槽,絲網印刷,燒結。
9.一種PERC電池,其特征在于,所述PERC電池由權利要求8的PERC電池制備方法制備而得。
10.根據權利要求9所述的一種PERC電池,其特征在于,所述PERC電池包括具有PN結的硅片層,以及依次設置于硅片層背面的SiO2膜層、Al2O3、SiNX層和背面電極,硅片層正面依次設置SiO2膜層、SiNX層和正面電極,所述背面設置的SiO2膜層的厚度為1-5nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





