[發明專利]石墨烯電極及其圖案化制備方法，陣列基板

在審

• 申請號: 201710416630.0
• 申請日: 2017-06-06
• 公開（公告）號: CN107104078A
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發明（設計）人: 王海軍
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司11372
• 代理人: 吳大建,張杰

1.一種石墨烯電極的圖案化制備方法，包括：

在基板上依次形成氧化石墨烯層和光刻膠層；

利用掩膜工具對所述光刻膠層進行曝光；

對曝光后的光刻膠層進行顯影；

對裸露的氧化石墨烯層進行還原；

對剩余的曝光后的光刻膠進行剝離，以獲得圖案化的石墨烯電極。

2.根據權利要求1所述的圖案化制備方法，其特征在于，所獲得的圖案化的石墨烯電極所在層的上表面為與所述基板的上表面平行的平面。

3.根據權利要求1所述的圖案化制備方法，其特征在于，利用掩膜工具對所述光刻膠層進行曝光，包括：

使紫外光透過具有透光區域和非透光區域的掩膜板照射所述光刻膠層，以對與所述透光區域相對應的光刻膠層進行曝光。

4.根據權利要求3所述的圖案化制備方法，其特征在于，所述光刻膠層采用負性光刻膠；對曝光后的光刻膠層進行顯影，包括：

利用顯影液將與所述非透光區域相對應的光刻膠層溶解，以裸露出與所述非透光區域相對應的氧化石墨烯層。

5.根據權利要求3所述的圖案化制備方法，其特征在于，所述光刻膠層采用正性光刻膠；對曝光后的光刻膠層進行顯影，包括：

利用顯影液將與所述透光區域相對應的光刻膠層溶解，以裸露出與所述透光區域相對應的氧化石墨烯層。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的圖案化制備方法，其特征在于，利用溶液懸浮法、膨脹法或合成法形成所述氧化石墨烯層。

7.根據權利要求1至5中任一項所述的圖案化制備方法，其特征在于，利用狹縫涂布法、旋涂法或刮涂法形成所述光刻膠層。

8.根據權利要求1至5中任一項所述的圖案化制備方法，其特征在于，利用水合肼、維生素C、苯二醇、硼氫化鈉或pH為11～13的堿性溶液對所述裸露的氧化石墨烯層進行還原。

9.一種利用如權利要求1至8中任一項所述的石墨烯電極的圖案化制備方法制備的石墨烯電極。

10.一種陣列基板，其特征在于：包括：

基板；

形成于所述基板上的第一石墨烯電極層，其具有圖案化的第一石墨烯電極；

形成于所述第一石墨烯電極層的第一絕緣層；

形成于所述第一絕緣層上的有源層；

形成于所述有源層上的第二石墨烯電極層，其具有圖案化的第二石墨烯電極；

形成于所述第二石墨烯電極層上的第二絕緣層；以及

形成于所述第二絕緣層上的像素電極層；

其中，所述第一石墨烯電極和所述第二石墨烯電極均采用如權利要求1至8中任一項所述的石墨烯電極的圖案化制備方法制備而成；并且，

所述第一石墨烯電極層的上表面和所述第二石墨烯電極層的上表面均為與所述基板的上表面平行的平面。