[發明專利]真空系統及具有真空系統的半導體設備有效
| 申請號: | 201710416611.8 | 申請日: | 2017-06-06 |
| 公開(公告)號: | CN109003913B | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空 系統 具有 半導體設備 | ||
1.一種真空系統,其特征在于,所述真空系統包括:
真空泵;
排氣管路,包括第一豎向管路、第二豎向管路及橫向連接管路,所述第一豎向管路的頂部與反應腔室內部相連通,所述橫向連接管路的第一端與所述第一豎向管路的底部相連通,所述橫向連接管路的第二端連通至所述真空泵,所述橫向連接管路在接近所述第一端的底側設有與外部相連通的開口,所述第二豎向管路位于所述橫向連接管路與所述真空泵之間,所述第二豎向管路的頂部與所述橫向連接管路的第二端相連通,所述第二豎向管路的底部與所述真空泵相連通,且所述橫向連接管路與所述第二豎向管路頂部相連通的一端的高度高于所述橫向連接管路與所述第一豎向管路底部相連通的一端的高度;及
捕集阱,設置于所述橫向連接管路的所述開口底部,所述捕集阱包括捕集阱主體及冷卻裝置,所述捕集阱主體內部具有一收納槽,且所述收納槽經由所述開口與所述排氣管路內部相連通,所述冷卻裝置結合于所述捕集阱主體,用以對所述收納槽內部冷卻降溫,以使進入所述捕集阱的氣化的聚合物副產物由氣化冷凝成固態黏附于所述捕集阱的內壁上,從而將所述聚合物副產物收集;所述冷卻裝置包括冷卻水管路冷卻水源、進水管及出水管;所述冷卻水管路位于所述捕集阱主體內,所述進水管一端與所述冷卻水源相連通,另一端與所述冷卻水管路的一端相連通,所述出水管一端與所述冷卻水管的另一端相連通,另一端與所述冷卻水源相連通,所述冷卻水源提供冷卻水,冷卻水經由所述進水管進入所述冷卻水管路,流經所述冷卻水管路之后經由所述出水管流回至所述冷卻水源,構成循環冷卻水回路。
2.根據權利要求1所述的真空系統,其特征在于:所述橫向連接管路的所述開口對準于所述第一豎直管路。
3.根據權利要求1所述的真空系統,其特征在于:所述捕集阱主體的所述收納槽的截面形狀為倒梯形。
4.根據權利要求1所述的真空系統,其特征在于:所述真空系統還包括:
開關閥,位于所述開口與所述捕集阱之間,且固定于所述排氣管路上,用以在打開時令所述收納槽經由所述開口與所述排氣管路內部相連通,且在關閉時令所述開口封閉,以使所述排氣管路內部與外部密封隔離;及
固定裝置,位于所述捕集阱主體上,用以結合至所述開關閥,使得所述捕集阱可拆卸連接至所述排氣管路。
5.根據權利要求1所述的真空系統,其特征在于:所述冷卻水管路沿所述捕集阱主體的周向分布,且自所述捕集阱主體的上部延伸至所述捕集阱主體的下部,所述冷卻水管路自所述捕集阱主體的上部呈多匝環繞至所述捕集阱主體的下部,所述進水管與所述冷卻水管路的上端相連通,所述出水管與所述冷卻水管的下端相連通。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的真空系統,其特征在于:所述捕集阱主體的側面設有與所述收納槽相連通的透明觀察窗口。
7.一種具有真空系統的半導體設備,其特征在于,所述半導體設備包括:
反應腔室;
如權利要求1所述的真空系統,所述排氣管路的所述第一豎向管路的頂部與所述反應腔室的內部相連通;及
尾氣處理裝置,與所述真空泵相連通,適于將所述真空泵從所述反應腔室內抽出的尾氣進行處理。
8.一種捕集阱,其特征在于,包括捕集阱主體,所述捕集阱主體內部具有一收納槽,且所述收納槽經由開口與一真空系統的排氣管路內部相連通,所述捕集阱還包括一結合于所述捕集阱主體的冷卻裝置,用以對所述收納槽內部冷卻降溫,以使進入所述捕集阱的氣化的聚合物副產物由氣化冷凝成固態黏附于所述捕集阱的內壁上,從而將所述聚合物副產物收集,所述捕集阱主體的側面設有與所述收納槽相連通的透明觀察窗口;所述冷卻裝置包括冷卻水管路冷卻水源、進水管及出水管;所述冷卻水管路位于所述捕集阱主體內,所述進水管一端與所述冷卻水源相連通,另一端與所述冷卻水管路的一端相連通,所述出水管一端與所述冷卻水管的另一端相連通,另一端與所述冷卻水源相連通,所述冷卻水源提供冷卻水,冷卻水經由所述進水管進入所述冷卻水管路,流經所述冷卻水管路之后經由所述出水管流回至所述冷卻水源,構成循環冷卻水回路。
9.根據權利要求8所述的捕集阱,其特征在于:所述捕集阱還包括一固定裝置,位于所述捕集阱主體上,使得所述捕集阱可拆卸連接至所述排氣管路。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





