[發明專利]一種在非易失性存儲器中存儲數據的方法及裝置

有效

• 申請號: 201710414662.7
• 申請日: 2017-06-05
• 公開（公告）號: CN107422987B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 王文希;王衡;林青合;李剛
• 申請（專利權）人: 青島海信寬帶多媒體技術有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京睿博行遠知識產權代理有限公司 11297
• 代理人: 龔家驊

本申請提出了一種在非易失性存儲器中存儲數據的方法及裝置，該存儲器包括，第一存儲塊和第二存儲塊對數據進行存儲，所述存儲塊包括，用于存儲數據的信息區和用于寄存簽名信息的簽名區。使用該存儲器在存儲數據時，需先將存儲數據寫入當前存儲塊且標識簽名，再將待用的存儲塊配置為再次寫入存儲數據和簽名信息的存儲塊(修改待用存儲塊上的原始數據)。因此，即使在數據寫入時發生意外掉電或reset等突發事件，當前存儲塊上新寫入的數據雖未能完成寫入，但是另一存儲塊上的存儲數據未被修改，不會丟失數據，降低了存儲器內的數據因意外掉電或reset等突發事件造成的數據丟失或損壞的風險。

技術領域

本申請涉及電子通信領域，特別涉及一種閃存的數據存儲方法及閃存。

背景技術

非易失性存儲器(NVS，nonvolatile storage，non-volatile storage)也稱為非易失性存儲或非易失性隨機存取存儲器(NVRAM)，是靜態隨機存取存儲器的一種形式，當計算機關閉或失去它的外部電源的時候，它的內容可以保存下來。因此，在許多常見的應用中，微處理器要求用非易失性存儲器來存放其可執行代碼、變量和其他暫態數據。

常見的非易失性存儲器有可擦可編程只讀存儲器(Erasable ProgrammableRead-Only Memory，RPROM)、電可擦可編程只讀存儲器(Electrically ErasableProgrammable Read-Only Memory，EEPROM)、閃存(Flash EEPROM)等類型。每種非易失性存儲器根據其成本和性能運用在不同的技術領域。例如，雖然EEPROM使用靈活，可以實現單字節刪除與改寫，但是其擦寫電路占用空間大，在存儲容量較大數據時十分不便。

閃存作為一種常用的非易失性存儲器，具有存儲容量大，攜帶方便等優點。閃存可以在稱為存儲塊(block)的存儲單位中進行刪除和改編，即每個存儲塊共用一個擦除電路，因此在存儲大量數據時，其可以大大節省空間，方便數據存儲。

但是，在使用閃存進行存儲時，即使僅僅修改幾個字節，也需要擦除這幾個字節所在的塊的所有數據，再寫入新的數據。眾所周知，非易失性存儲器的擦除過程比較耗時，如果擦除過程中有意外掉電或者Reset等事件發生時，整個塊的數據恰好被擦除或者部分擦除，而這時新寫入的數據卻沒有正常寫入，使得原來存儲在閃存中的數據不再完整，形成一塊“壞數據”區域。如果有相關程序使用到上述“壞數據”區域，整個程序可能無法正常運行(例如程序跑飛或者執行錯誤)，使得應用該程序的相關產品的穩定性存在極大的隱患。

因此，當非易失性存儲器中寫入存儲數據時，如何降低存儲器內的數據因意外掉電或reset等突發事件發生時，發生數據丟失或損壞的風險，是本領域的技術人員亟待解決的問題。

發明內容

本申請提供一種在非易失性存儲器中存儲數據的方法及裝置，用以降低存儲器內的數據因意外掉電或reset等突發事件造成的丟失或損壞的風險。

為了達到上述目的，本申請提出了一種在非易失性存儲器中存儲數據的方法，所述非易失性存儲器包括，第一存儲塊和第二存儲塊，所述存儲塊包括，用于存儲數據的信息區和用于標識簽名信息的簽名區，所述方法包括，

將存儲數據寫入至清空狀態的所述第一存儲塊的信息區并在所述第一存儲塊的簽名區標識簽名信息后，將所述第二存儲塊配置為用于再次寫入存儲數據并標識有簽名信息的存儲塊；

其中，所述存儲塊為清空狀態時，該存儲塊上未寫入存儲數據且未標識簽名信息。

優選的，根據所述第二存儲塊的配置狀態，將存儲數據寫入至清空狀態的所述第二存儲塊的信息區并在所述第二存儲塊的簽名區標識簽名信息后，將所述第一存儲塊配置為用于再次寫入存儲數據并標識有簽名信息的存儲塊。