[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710413587.2
• 申請日: 2017-05-31
• 公開（公告）號(hào): CN108987347B
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳品宏;蔡志杰;陳姿潔;張凱鈞;吳佳臻;黃怡安;鄭存閔;陳意維;劉瑋鑫
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8242
• 分類號(hào): H01L21/8242;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，包含:

提供一材料層；

在該材料層中形成一凹槽；

在一第一溫度下形成一第一鎢金屬層，填滿該凹槽；以及

在一第二溫度下進(jìn)行一熱處理，其中該第二溫度大于該第一溫度,

其中該第一溫度介于250℃至350℃之間，該第二制作工藝溫度介于400℃至500℃之間，且

其中在所述第二溫度下進(jìn)行的該熱處理包含快速熱退火處理。

2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該熱處理的時(shí)間不大于1分鐘。

3.如權(quán)利要求2所述的制作方法，其中該熱處理包含通入氮?dú)狻?/p>

4.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該熱處理之前，該第一鎢金屬層中的管芯平均尺寸小于70納米，該熱處理之后該第一鎢金屬層中的管芯平均尺寸介于70納米至100納米之間。

5.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該熱處理后，該第一鎢金屬層的管芯的平均尺寸相較于熱處理前，增加百分之40至50之間。

6.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中形成該第一鎢金屬層之前，另包含于該第一溫度下形成一鎢成核層，沿著該凹槽的側(cè)壁和底面覆蓋。

7.如權(quán)利要求6所述的制作方法，其中該熱處理之前，該鎢成核層中的管芯平均尺寸不大于30納米。

8.如權(quán)利要求6所述的制作方法，其中另包含形成一阻障層，介于該鎢成核層與該材料層之間。

9.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其中該材料層包含多個(gè)由一第二鎢金屬層構(gòu)成的電連接結(jié)構(gòu)，該凹槽是形成在兩個(gè)該電連接結(jié)構(gòu)之間。

10.如權(quán)利要求9所述的制作方法，其中該第二鎢金屬層是于一第三溫度下形成。

11.如權(quán)利要求10所述的制作方法，其中該第三溫度介于該第一制作工藝溫度與該第二制作工藝溫度之間。

12.如權(quán)利要求9所述的制作方法，其中該熱處理前，該第二鎢金屬層的管芯平均尺寸大于該第一鎢金屬層的管芯平均尺寸。

13.如權(quán)利要求12所述的制作方法，其中該熱處理后，該第二鎢金屬層的管芯平均尺寸與該第一鎢金屬層的管芯平均尺寸相等。

14.如權(quán)利要求9所述的制作方法，其中該熱處理前，該第二鎢金屬層的管芯平均尺寸介于70納米至100納米之間。