[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示面板在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710413393.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107240589A | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 甘啟明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44280 | 代理人: | 鐘子敏 |
| 地址: | 518006 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 及其 制作方法 液晶顯示 面板 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示面板。
背景技術(shù)
顯示行業(yè)一直將提高顯示品質(zhì),降低生產(chǎn)成本作為制勝的關(guān)鍵因素。并且隨著技術(shù)的發(fā)展,各種工藝技術(shù)也在不斷的提高,所能進(jìn)行的工藝精細(xì)程度也越來(lái)越高,這體現(xiàn)在像素的關(guān)鍵尺寸可以越做越小。并且人們追求顯示品質(zhì)也有了一定的改變,不再單純追求高亮度高度比,而對(duì)視角、色彩空間加更注重。
在這些顯示技術(shù)中,IPS(橫向電場(chǎng)效應(yīng)顯示技術(shù))無(wú)疑是一個(gè)非常好的選擇。但是傳統(tǒng)的IPS像素工藝制程相對(duì)比較多,至少需要四道制程,包括M1(第一金屬層)、active layer(有源層)與M2(第二金屬層)、PV(有機(jī)層)及像素電極。這對(duì)于大量生產(chǎn)來(lái)說(shuō),成本也就相對(duì)比較高。半導(dǎo)體顯示技術(shù)如果減少制程道次,相對(duì)來(lái)說(shuō)就能降低生產(chǎn)成本。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示面板,能夠在陣列基板的制作制程中只需要兩道光罩,提高了生產(chǎn)效率,降低了產(chǎn)品生產(chǎn)的成本。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種陣列基板的制作方法,該制作方法包括:在基板上制作第一金屬層;采用第一張光罩對(duì)第一金屬層進(jìn)行刻蝕工藝以形成柵極和公共電極;在第一金屬層上依次制作柵極絕緣層、有源層和第二金屬層;采用第二張光罩對(duì)第二金屬層和有源層進(jìn)行刻蝕工藝以形成源極、漏極和像素電極。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種陣列基板,該陣列基板包括依次層疊形成的第一金屬層,柵極絕緣層、有源層以及第二金屬層;其中,第一金屬層包括柵極和公共電極,第二金屬層包括源極、漏極和像素電極。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種液晶顯示面板,該液晶顯示面板包括陣列基板、彩膜基板以及陣列基板和彩膜基板之間的液晶層,其中,陣列基板是采用如上的制作方法制得,或是如上的陣列基板。
本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況,本發(fā)明的陣列基板的制作方法包括:在基板上制作第一金屬層;采用第一張光罩對(duì)第一金屬層進(jìn)行刻蝕工藝以形成柵極和公共電極;在第一金屬層上依次制作柵極絕緣層、有源層和第二金屬層;采用第二張光罩對(duì)第二金屬層和有源層進(jìn)行刻蝕工藝以形成源極、漏極和像素電極。通過(guò)上述方式,整個(gè)陣列基板的制作制程只需要兩道光罩,提高了生產(chǎn)效率,降低了產(chǎn)品生產(chǎn)的成本。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明提供的陣列基板一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法一實(shí)施例的流程示意圖;
圖3-圖6是本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法一實(shí)施例中步驟S21-S22的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖7是本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法一實(shí)施例中步驟S23的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖8-圖13是本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法一實(shí)施例中步驟S24的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖14是本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法一實(shí)施例的俯視結(jié)構(gòu)示意圖;
圖15是本發(fā)明提供的液晶顯示面板一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
參閱圖1,圖1是本發(fā)明陣列基板一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖,該陣列基板包括依次層疊設(shè)置在基板10上的第一金屬層11、柵極絕緣層12、有源層以及第二金屬層15。
其中,有源層包括半導(dǎo)體層13以及離子注入層14。
其中,第一金屬層11包括柵極111和公共電極112,第二金屬層15包括源極151、漏極152和像素電極153。
具體地,第一金屬層11在第一張光罩下被刻蝕形成柵極111和公共電極112,第二金屬層15在第二張光罩下被刻蝕形成源極151、漏極152和像素電極153。
其中,第二金屬層15為抗氧化金屬層,且第二金屬層15裸露在陣列基板與彩膜基板之間的液晶層中。
下面參閱圖2的流程示意圖以及圖3-圖13的結(jié)構(gòu)示意圖,對(duì)上述陣列基板的制作方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
如圖2所示,該陣列基板的制作方法包括:
S21:在基板上制作第一金屬層。
S22:采用第一張光罩對(duì)第一金屬層進(jìn)行刻蝕工藝以形成柵極和公共電極。
基板10可以是透明的玻璃基板,也可以是透明的塑料基板;第一金屬層可以采用Pt、Ru、Au、Ag、Mo、Cr、Al、Ta、Ti或W中的一種金屬或多種金屬的合金。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





