[發明專利]晶片加工系統有效
| 申請號: | 201710413254.X | 申請日: | 2017-06-05 |
| 公開(公告)號: | CN107470783B | 公開(公告)日: | 2021-02-19 |
| 發明(設計)人: | 富樫謙;塚本真裕 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/677;B23K26/38 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;喬婉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 加工 系統 | ||
提供晶片加工系統,能夠對晶片進行搬送,并能夠抑制晶片的破損,抑制所制造的器件芯片的品質的降低。晶片加工系統具有激光加工裝置、磨削裝置、帶粘貼裝置、第1盒載置部、第2盒載置部、對晶片進行搬送的搬送單元以及對各構成要素進行控制的控制構件。控制構件包含:第1加工程序指示部,其對從第1盒搬出的晶片按照激光加工裝置、磨削裝置、帶粘貼裝置和第2盒的順序進行搬送,對1張晶片依次實施由各個裝置進行的加工;以及第2加工程序指示部,其對從第1盒搬出的晶片按照磨削裝置、激光加工裝置、帶粘貼裝置和第2盒的順序進行搬送,對1張晶片依次實施由各個裝置進行的加工。
技術領域
本發明涉及晶片加工系統。
背景技術
作為具有在由分割預定線劃分的多個區域內形成有器件的正面的晶片的加工方法,公知由磨削裝置進行的磨削加工、由激光加工裝置進行的激光加工和由帶粘貼裝置進行的帶換貼加工等(參照專利文獻1)。
在沿著分割預定線對晶片進行分割而制造出多個器件芯片的情況下,實施使用磨削裝置對晶片的背面進行磨削而使晶片薄化的處理、使用激光加工裝置對晶片照射激光光線的處理、以及使用帶粘貼裝置對晶片粘貼劃片帶的處理等。利用磨削裝置進行了薄化的晶片以收納在盒中的狀態被操作者搬送而投入到激光加工裝置中。利用激光加工裝置進行了激光加工的晶片以收納在盒中的狀態被操作者搬送而投入到帶粘貼裝置中。
在晶片以收納在盒中的狀態被搬送的情況下,存在晶片在搬送中破損的可能性。特別是由于薄化后或激光加工后的晶片處于非常脆的狀態,所以在搬送中破損的可能性較高。并且,當晶片在被收納在盒中的狀態下被操作者投入到磨削裝置、激光加工裝置和帶粘貼裝置的任意一個裝置的情況下,存在誤投入到不同的裝置中的可能性。
并且,近年來,開始采用在DBG(Dicing Before Grinding:先切割后減薄)中使用隱形切割加工的SDBG(Stealth Dicing Before Grinding:先隱形切割后減薄)(參照專利文獻2)。DBG是在沿著分割預定線在晶片的正面形成了槽之后對晶片的背面進行磨削從而將晶片分割成多個器件芯片的方法。在DBG中,在使晶片薄化之前形成槽。因此,根據DBG,與在使晶片薄化之后形成槽的方法相比,抑制了背面崩邊,提高了器件芯片的抗彎強度。SDBG是如下的方法:在沿著分割預定線對晶片照射激光光線而在晶片的內部形成了改質層之后,對晶片的背面進行磨削并對晶片的背面粘貼劃片帶并進行擴展,從而將晶片分割成多個器件芯片。
專利文獻1:日本特開2011-091293號公報
專利文獻2:日本特開2013-214601號公報
SDBG與DBG同樣,能夠提高器件芯片的抗彎強度。并且,SDBG與DBG相比,具有能夠抑制切口寬度并能夠充分確保器件芯片的拾取個數的優點。
另一方面,通過SDBG而形成了改質層的晶片處于較脆的狀態。因此,當在形成有改質層的晶片被收納在盒中的狀態下在激光加工裝置、磨削裝置和帶粘貼裝置之間進行搬送時,因振動等而破損的可能性較高。并且,SDBG與DBG相比,相鄰的器件的間隔較小。因此,在晶片的搬送中在晶片沿著改質層斷裂而被分割成器件芯片的情況下,因器件芯片彼此摩擦而在器件上產生缺陷或器件芯片的抗彎強度降低等原因,使所制造的器件芯片的品質降低。
發明內容
因此,本發明的目的在于,提供晶片加工系統,當在激光加工裝置、磨削裝置和帶粘貼裝置之間對晶片進行搬送時,能夠抑制晶片的破損,并且能夠抑制所制造的器件芯片的品質的降低。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





