[發明專利]用于執行內部處理的存儲器設備及其操作方法

有效

• 申請號: 201710412819.2
• 申請日: 2017-06-05
• 公開（公告）號: CN107480077B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 吳凜;柳濟民;K.帕萬庫馬爾
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 錢大勇

一種存儲器設備包括存儲器單元陣列，所述存儲器單元陣列具有帶有對應的多個獨立通道的多個存儲器單元組，并且所述設備及其操作方法對存儲器單元組執行內部數據處理操作。所述存儲器設備包括內部命令發生器和用于公共內部處理通道的內部公共總線，其中所述內部命令發生器被配置為響應于命令的接收生成一個或多個內部命令來執行內部數據處理操作，所述內部公共總線被布置為由所述多個存儲器單元組共享，并被配置為當執行所述內部數據處理操作時，在所述多個存儲器單元組之間形成數據的傳輸路徑。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2016年6月8日提交到韓國知識產權局的第10-2016-0071074號韓國專利申請的權益，其公開內容通過引用整體并入本文。

技術領域

本發明構思涉及一種存儲器設備，更具體地，涉及一種用于執行內部處理的存儲器設備及其操作方法。

背景技術

廣泛用于高性能電子系統中的半導體存儲器設備的容量和速度正在增加。作為半導體存儲器設備的示例，作為易失性存儲器的動態隨機存取存儲器(DRAM)，是其中數據由存儲在電容器中的電荷確定的存儲器。

半導體存儲器設備可以通過一個或多個通道與外部存儲器控制器交換數據。例如，根據從存儲器控制器提供的命令的類型，可以執行對從存儲器控制器提供的數據的處理操作，或者可以讀取存儲在其中的數據，執行針對所讀取的數據的處理操作，然后可以將經處理的數據提供給存儲器控制器。在這種情況下，由于在半導體存儲器設備和存儲器控制器之間的帶寬被占用，可能出現降低信道的使用效率以及增加功耗的問題。

發明內容

本發明的概念涉及存儲器設備，以及操作存儲器設備的方法，其使用在至少兩個存儲器單元組之間共享的內部處理通道對存儲器設備的至少兩個存儲器單元組的存儲器單元執行內部處理操作。

根據本發明構思的一個方面，提供了一種存儲器設備，包括：緩沖器裸片(bufferdie)，其具有內部命令發生器，被配置為從外部存儲器控制器接收用于由存儲器設備執行至少一個內部數據處理操作的第一外部命令，并且響應于此，生成用于使該存儲器設備運行對應的內部存儲器操作以執行至少一個內部數據處理操作的至少兩個內部命令；與緩沖器裸片堆疊在一起的第一核心裸片(core die)和第二核心裸片，該第一和第二核心裸片中的每一個具有多個動態隨機存取存儲器(DRAM)單元，該DRAM單元被布置成至少第一核心裸片的第一存儲器單元組以及第二核心裸片的第二存儲器單元組；多個硅通孔(throughsilicon vias，TSV)，其延伸穿過該第一核心裸片及該第二核心裸片以便連接到所述緩沖器裸片；至少兩個獨立通道，每個獨立通道與第一存儲器單元組和第二存儲器單元組中的對應一個相關聯，該至少兩個獨立通道各自包括TSV的對應集合；以及在第一核心裸片和第二核心裸片的第一存儲器單元組和第二存儲器單元組之間共享的公共內部處理通道。

根據本發明構思的另一方面，提供了一種存儲器設備，包括：緩沖器裸片，其具有內部命令發生器，其被配置為從外部存儲器控制器接收用于由存儲器設備執行的至少一個內部數據處理操作的第一外部命令，并且響應于此，生成用于使存儲器設備運行(execute)對應的內部存儲器操作以執行至少一個內部數據處理操作的至少兩個內部命令；與緩沖器裸片堆疊在一起的至少一個核心裸片，該至少一個核心裸片具有被布置成多個存儲器單元組的多個動態隨機存取存儲器(DRAM)單元；多個硅通孔(TSV)，其延伸穿過至少一個核心裸片以便連接到該緩沖器裸片；以及至少兩個獨立通道，每個獨立通道與存儲器單元組中的對應一個相關聯，該至少兩個獨立通道各自包括TSV的對應集合，其中當存儲器設備執行至少一個內部數據處理操作時，TSV中的至少一些由多個存儲器單元組中的至少兩個共享。